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功率半导体器件的耐压层
结题报告
批准号：
69836010
项目类别：
重点项目
资助金额：
130.0 万元
负责人：
陈星弼
依托单位：
电子科技大学
学科分类：
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份：
2002
批准年份：
1998
项目状态：
已结题
项目参与者：
王新、叶星宁、何进、曲文超、亢宝位、程序、吴郁、韩磊
关键词：
耐压层.纵向功率器件.横向功率器件
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中文摘要
功率器件的重要参数之间是相互制约的，如导通压降与关断耐压层之间，导通压降与关断速度之间。要解决这些矛盾的唯一方法是发明新的耐压层结构。陈星弼发明了新的纵向及横向耐压层结构，这对功率器件的发展会有重要影响。本项目是利用其发明，研制出综合性能指标更好的器件。使我国功率器件及其集成电路在一个新起点上发展。.
英文摘要
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专利列表
利用双极载流子的大功率器件中电特性及可靠性的研究及其原创性改进
  • 批准号：
    51237001
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    280.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    陈星弼
  • 依托单位：
    电子科技大学
新颖“与CMOS/BiCMOS工艺全兼容的集成肖特基二极管”
  • 批准号：
    50777005
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    35.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    陈星弼
  • 依托单位：
    电子科技大学
智能功率集成电路中低压电源及小电流检测
  • 批准号：
    60476036
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    22.0万元
  • 批准年份：
    2004
  • 负责人：
    陈星弼
  • 依托单位：
    电子科技大学
新原理功率集成电路的研究
  • 批准号：
    69776041
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    30.0万元
  • 批准年份：
    1997
  • 负责人：
    陈星弼
  • 依托单位：
    电子科技大学
新型MOS功率器件和智能功率集成电路
  • 批准号：
    69136010
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    60.0万元
  • 批准年份：
    1991
  • 负责人：
    陈星弼
  • 依托单位：
    电子科技大学
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