慢正电子束技术发展及薄膜材料基础研究

批准号:
10835006
项目类别:
重点项目
资助金额:
220.0 万元
负责人:
叶邦角
依托单位:
学科分类:
A30.核技术及其应用
结题年份:
2012
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
翁惠民、韩荣典、刘建党、张礼红、王宝义、于润升、马创新、秦秀波、姜小盼
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中文摘要
在我国自主研制的慢正电子束和脉冲慢正电子束装置上发展新型数字化的探测技术:寿命-动量关联技术(AMOC)、寿命-幅度关联技术(2D-PAS)、电子偶素飞行时间技术(Ps-TOF),探索采用大面积探测器提高探测效率的途径。实现正电子对薄膜材料在时间(寿命)、空间(深度)、能量(幅度)、动量的全信息的探测及关联分析,建立正电子研究薄膜材料的综合研究平台。建立物理模型,实现正电子对薄膜、表面和界面的原位无损定量分析。在这些技术建立的基础上,选择凝聚态物理中典型的多孔材料、航空航天领域的热控薄膜和涂层材料、光伏产业中的硅薄膜材料进行系统地基础物理问题研究;研究材料微结构随温度、粒子辐照、强光辐照等外部物理条件改变带来的改变,由此建立与它们的宏观物理特性改变的关系,为相关的产业和科学研究提供重要的实验依据。使我国的慢正电子技术成为国内研究机构在薄膜、表面和涂层材料的新型的科学研究平台。
英文摘要
在项目实施的四年中,中国科大课题组和高能所课题组完成了独立设计的有自主知识产权的三条慢正电子束装置的性能优化、升级和系统性能的改进。这也是我国仅有的三条自主设计的慢正电子束流装置,为我国在国际正电子界争得一席之地,该平台已成为我国材料科学领域上一种重要的测试手段。. 在本项目的支持下, 中国科大和北京高能物理研究所两个课题组在正电子湮没信号的探测技术上进行了创新和发展, 共成功研制了五套性能优越的新型正电子湮没探测谱仪,分别是电子偶素飞行时间 (Ps-TOF)谱仪、慢束上的寿命-动量关联 (S-AMOC),三探头寿命-动量关联 (AMOC)谱仪、二维正电子湮没寿命谱仪(2D-PAS)和数字化正电子湮没寿命谱仪(Digital-PAS)。这五套谱仪在技术指标上都达到了国际同类谱仪水平,在设计思想上有独特的创新。这些新技术的建立,使我国在正电子湮没测量技术上与国际保持同等水平。 结合慢正电子束技术,实现了正电子作为探针对薄膜材料在时间(寿命)、空间(深度)、能量(幅度)、动量等的全信息的探测及关联分析,成为薄膜材料微结构的综合研究平台,这将对我国开展在正电子湮没的拓展应用将起到重要作用。. 在建立的正电子湮没科学研究平台上,本项目开展了材料微结构特性的基础研究。涉及研究的有材料的导电性能机理、金属绝缘体转变、铁基超导体材料的超导电性、太阳能薄膜材料性能、多孔硅材料修饰、碳纳米管的电子组态、材料的磁性等。本项目还发展了正电子湮没理论分析及其相关计算方法,可以计算正电子湮没寿命、多普勒展宽、角关联等各种正电子湮没参数。通过先进的正电子湮没探测手段并结合理论计算和分析,得到了很多关于材料微结构特性的重要结论。.
期刊论文列表
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Positron annihilation lifetime study of SmFeAsO superconductor
SmFeAsO超导体的正电子湮灭寿命研究
DOI:10.7498/aps.59.2789
发表时间:2010-04
期刊:Acta Physica Sinica
影响因子:1
作者:Hao Ying-Ping;Chen Xiang-Lei;Cheng Bin;Kong Wei;Xu Hong-Xia;Du Huai-Jiang;Ye Bang-Jiao
通讯作者:Ye Bang-Jiao
DOI:--
发表时间:--
期刊:核技术
影响因子:--
作者:秦秀波;王平;姜小盼;于润升;王宝义;魏龙;QIN Xiubo1,2 WANG Ping1 JIANG Xiaopan1,2 YU Runshe
通讯作者:QIN Xiubo1,2 WANG Ping1 JIANG Xiaopan1,2 YU Runshe
DOI:--
发表时间:2012
期刊:核技术
影响因子:--
作者:伍海彪;曹兴忠;吴建平;成国栋;李卓昕;张鹏;姜小盼;于润升;王宝义
通讯作者:王宝义
Positron annihilation study of 4H-SiC by Ge+ implantation and subsequent thermal annealing
Ge 注入和随后的热退火对 4H-SiC 的正电子湮没研究
DOI:10.1016/j.nimb.2011.10.006
发表时间:2012
期刊:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
影响因子:--
作者:Yu, R.S.1;Maekawa, M.2;Kawasuso, A.2;Wang, B.Y.1;Wei, L.1
通讯作者:Wei, L.1
DOI:--
发表时间:--
期刊:核技术
影响因子:--
作者:马敏阳;秦秀波;姜小盼;于润升;王宝义;吴伟明;MA Minyang1 QIN Xiubo2 JIANG Xiaopan2 YU Runsheng2
通讯作者:MA Minyang1 QIN Xiubo2 JIANG Xiaopan2 YU Runsheng2
机器学习应用于正电子谱学测量与分析方法研究
- 批准号:12175232
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:64万元
- 批准年份:2021
- 负责人:叶邦角
- 依托单位:
铋层状结构多铁性材料中磁电耦合的结构依赖特性及正电子谱学研究
- 批准号:11875248
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:66.0万元
- 批准年份:2018
- 负责人:叶邦角
- 依托单位:
正电子湮没谱学理论与技术研究稀磁半导体中磁性起源及磁耦合机制
- 批准号:11475165
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:120.0万元
- 批准年份:2014
- 负责人:叶邦角
- 依托单位:
过渡金属化合物金属绝缘体转变的正电子理论和实验研究
- 批准号:11175171
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:88.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:叶邦角
- 依托单位:
中国散裂中子源试验型Muon源的概念设计及相关技术研究
- 批准号:11075154
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:54.0万元
- 批准年份:2010
- 负责人:叶邦角
- 依托单位:
用正电子湮灭技术研究低介电常数材料的微结构
- 批准号:10675114
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:38.0万元
- 批准年份:2006
- 负责人:叶邦角
- 依托单位:
用双多普勒关联技术研究纳米颗粒/介孔复合材料的特性
- 批准号:10475072
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:32.0万元
- 批准年份:2004
- 负责人:叶邦角
- 依托单位:
国内基金
海外基金
