砷化镓中杂质缺陷态的光谱研究
批准号：
68876107
项目类别：
面上项目
资助金额：
3.0 万元
负责人：
江德生
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
F0401.半导体材料
结题年份：
1991
批准年份：
1988
项目状态：
已结题
项目参与者：
王富成、宋春英、郑捷飞、钟学富、朱悟新
关键词：
杂质和缺陷砷化镓红外吸收
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