镓氮砷等近红外合金低维结构材料光电子性质研究
结题报告
批准号：
60276003
项目类别：
面上项目
资助金额：
14.0 万元
负责人：
江德生
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
F0405.半导体器件物理
结题年份：
2004
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
朱世秋、孙宝权、边历峰、徐应强、陆书龙
关键词：
光电子镓铟氮砷.量子阱.
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中文摘要
镓铟氮砷固溶体外延量子阱结构是以砷化镓为基的,用于近红外波段光纤通讯激光器件和光讲馄骷闹匾虏牧?在电子能带和材料物理性质上有独特性质.本工作通过光学和电学测?将重点研究窄禁带氮化物及其应变层量子阱结构影响电子能态和光学跃迁的物.理机制,探索MBE生长条件,低维材料结构设计,退火处理等对光电子器件参数和性能的影响..
英文摘要
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