AlGaN基日盲紫外雪崩光电探测器（APD）在航空航天与高端武器平台等领域有着重要的应用前景。目前AlGaN基APD，因受器件自身结构和材料质量的限制，存在雪崩增益低、倍增噪声大等缺点。本课题基于目前紫外探测中存在的材料学问题进行研究。首先通过利用脉冲原子层外延和高温连续外延数字交替的方法，获得了表面平均粗糙度低达0.25nm，（002）和（102）XRC半高宽分别为57.6arcsec和886arcsec的AlN薄膜。在此基础上采用中温插入层技术，将AlN （002）和（102）面XRC半高宽进一步改善为58arcsec和544arcsec，达到国际先进水平。其次，通过采用AlN/AlGaN超晶格技术，获得了电学性质和光学性质较好的n-Al0.5Ga0.5N,其电子浓度高达3.23x1018cm-3，迁移率为84.6cm2/vs; 采用Si-delta掺杂和Si-In共掺的方法，对n-AlGaN晶体质量和表面形貌进行了改善。最后在前面材料生长的基础上，制备出了AlGaN基PIN紫外探测器，该探测器在365nm处的透过率达到75%以上，零偏压下暗电流低达10-11A，光电流峰值响应波长为250nm，峰值响应率为45mA/W，截止波长为270nm。该结果已经达到国内先进水平。