现代微纳器件的可靠性制约着它们的使用范畴，有研究表明：微纳尺度下的器件，其功能参数与器件的某些缺陷与疲劳失效之间有很紧密的联系，然而却没有一种理论与方法能将二者有机的关联起来，我们以上述工程需求和应用为背景，选择最容易产生缺陷和疲劳失效的MEMS导电薄膜器件为研究对象，建立起平面亚微米级局域导电率与MEMS导电薄膜器件疲劳失效的本构关系，通过精确测定平面亚微米级局域导电率并以其变化规律作为手段来判断缺陷、预测其疲劳失效，以期在微纳器件的可靠性研究与无损检测方面有所突破。本项目以平面亚微米局域导电率与MEMS 导电薄膜器件疲劳失效的本构关系的理论研究为核心，同时对四电极AFM局域导电率测量技术进行创新，研制具有可移植性、用途广泛的基于四电极AFM 的平面亚微米级局域导电率精确测量系统，以此为基础实现MEMS等微纳器件的无损检测新技术。因此，本项目研究具有深远的学术意义和潜在的应用前景。