由POSS制备纳米孔洞IC低介电材料研究

批准号：

90206014

项目类别：

重大研究计划

资助金额：

24.0 万元

负责人：

徐洪耀

依托单位：

安徽大学

学科分类：

结构化学

结题年份：

2005

批准年份：

2002

项目状态：

已结题

项目参与者：

章于川、王命泰、李村、光善仪、尹守春、方敏、宫晓梅、王献彪、汪佳凤

关键词：

介电材料.多面的低聚倍半硅 IC

项目摘要

结项摘要

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中文摘要

本文以高分子为模板，设计合成出一系列功能POSS单体和分子水平均匀分散的POSS高分子，采用二阶甚至多阶零次反应动力学进行材料制备、高温固化，实现材料中纳米孔洞大小、分布及均匀性的有效控制，采用各种现代光谱和材料表征技术对材料分子组成，宏观结构和介电性能进行详细表征，并探讨了分子微观组成—宏观结构—材料性能间关系。

英文摘要

有机-无机杂化高分子为模板制备多孔低介电材料

批准号：

50472038
项目类别：

面上项目
资助金额：

25.0万元
批准年份：

2004
负责人：

徐洪耀
依托单位：

安徽大学

激光防护高分子光学材料的研究

批准号：

50073001
项目类别：

面上项目
资助金额：

20.0万元
批准年份：

2000
负责人：

徐洪耀
依托单位：

安徽大学

新型功能高分子的合成及性能研究

批准号：

29804001
项目类别：

青年科学基金项目
资助金额：

11.0万元
批准年份：

1998
负责人：

徐洪耀
依托单位：

安徽大学

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