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由POSS制备纳米孔洞IC低介电材料研究
结题报告
批准号:
90206014
项目类别:
重大研究计划
资助金额:
24.0 万元
负责人:
徐洪耀
依托单位:
学科分类:
B0305.结构化学
结题年份:
2005
批准年份:
2002
项目状态:
已结题
项目参与者:
章于川、王命泰、李村、光善仪、尹守春、方敏、宫晓梅、王献彪、汪佳凤
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中文摘要
本文以高分子为模板,设计合成出一系列功能POSS单体和分子水平均匀分散的POSS高分子,采用二阶甚至多阶零次反应动力学进行材料制备、高温固化,实现材料中纳米孔洞大小、分布及均匀性的有效控制,采用各种现代光谱和材料表征技术对材料分子组成,宏观结构和介电性能进行详细表征,并探讨了分子微观组成—宏观结构—材料性能间关系。
英文摘要
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专利列表
有机-无机杂化高分子为模板制备多孔低介电材料
  • 批准号:
    50472038
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    25.0万元
  • 批准年份:
    2004
  • 负责人:
    徐洪耀
  • 依托单位:
激光防护高分子光学材料的研究
  • 批准号:
    50073001
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    20.0万元
  • 批准年份:
    2000
  • 负责人:
    徐洪耀
  • 依托单位:
新型功能高分子的合成及性能研究
  • 批准号:
    29804001
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    11.0万元
  • 批准年份:
    1998
  • 负责人:
    徐洪耀
  • 依托单位:
国内基金
海外基金