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量子点和量子线MBE生长中浸润层状态的研究
结题报告
批准号:
69976027
项目类别:
面上项目
资助金额:
15.8 万元
负责人:
吴巨
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2002
批准年份:
1999
项目状态:
已结题
项目参与者:
林峰、刘峰奇、姜红卫、丁鼎
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中文摘要
研究自组装量子点和量子线在分子束外延生长过程中,浸润层的状态。在经典的SK生长模式中,浸润层被认为是均匀的。而实际上,浸润层的形成要受到晶体弹性各项异性、原子扩散的各项异性、组份的起伏变化等因素的影响,使其成为不均匀的。浸润层的不均匀性直接影响量子点和量子线的形成。我们要在这方面开展工作。
英文摘要
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