量子点和量子线MBE生长中浸润层状态的研究
批准号：
69976027
项目类别：
面上项目
资助金额：
15.8 万元
负责人：
吴巨
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2002
批准年份：
1999
项目状态：
已结题
项目参与者：
林峰、刘峰奇、姜红卫、丁鼎
关键词：
项目摘要
结项摘要
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中文摘要
研究自组装量子点和量子线在分子束外延生长过程中，浸润层的状态。在经典的SK生长模式中，浸润层被认为是均匀的。而实际上，浸润层的形成要受到晶体弹性各项异性、原子扩散的各项异性、组份的起伏变化等因素的影响，使其成为不均匀的。浸润层的不均匀性直接影响量子点和量子线的形成。我们要在这方面开展工作。
英文摘要
InAs/InAl(Ga)As/InP量子线微腔量子电动力学
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批准号：60676029
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项目类别：面上项目
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资助金额：25.0万元
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批准年份：2006
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负责人：吴巨
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依托单位：
旁栅电压对GaAs场效应管栅极肖特基势垒影响的研究
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批准号：69676001
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项目类别：面上项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：1996
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负责人：吴巨
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依托单位：
国内基金
海外基金