旁栅电压对GaAs场效应管栅极肖特基势垒影响的研究
批准号:
69676001
项目类别:
面上项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
吴巨
依托单位:
学科分类:
半导体材料
结题年份:
1999
批准年份:
1996
项目状态:
已结题
项目参与者:
张缅、白锡巍、陈涌海、万寿科
InAs/InAl(Ga)As/InP量子线微腔量子电动力学
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批准号:60676029
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项目类别:面上项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2006
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负责人:吴巨
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依托单位:
量子点和量子线MBE生长中浸润层状态的研究
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批准号:69976027
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项目类别:面上项目
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资助金额:15.8万元
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批准年份:1999
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负责人:吴巨
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依托单位:
国内基金
海外基金