课题基金基金详情
旁栅电压对GaAs场效应管栅极肖特基势垒影响的研究
批准号：
69676001
项目类别：
面上项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
吴巨
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
F0401.半导体材料
结题年份：
1999
批准年份：
1996
项目状态：
已结题
项目参与者：
张缅、白锡巍、陈涌海、万寿科
关键词：
旁栅电压GaAs场效应管栅极肖特基势垒
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
InAs/InAl(Ga)As/InP量子线微腔量子电动力学
量子点和量子线MBE生长中浸润层状态的研究
国内基金
海外基金