InAs/InAl(Ga)As/InP量子线微腔量子电动力学
批准号：
60676029
项目类别：
面上项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
吴巨
依托单位：
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
吕小晶、胡颖、梁平、焦玉恒
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
辐射场与物质发光的相互作用是物理基础研究，半导体低维材料微腔量子电动力学（CQED）行为是其中的重要部分，是新一代半导体光电技术的基础。本课题研究InAs量子线的CQED行为。与量子点相比，量子线在生长、结构、和光学性质等方面有独到的特性。量子线在结构上有各种形态，有不同的应用范围，但是它们有相似的特性。半导体量子线的一个重要特性是其光学偏振具有特定的方向，这使量子线在半导体低微结构材料的研究和应用中有重要地位。偏振方向应该对CQED行为有重要影响。但是在以往的研究中，由于缺乏具有特定偏振方向的光源而没有对这种影响进行实验研究。本课题要通过研究InAs量子线的CQED行为，说明在半导体光子晶体微腔中光源偏振方向性对CQED 行为的影响。本课题还将通过CQED行为，研究量子线的电子结构和结构缺陷，使半导体低维材料的研究更为深入和细致。
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DOI：
10.1007/s11467-007-0012-9
发表时间：
2007-03
期刊：
Frontiers of Physics in China
影响因子：
--
作者：
[Jin Pen;Wu Ju;Jiao Yu-heng;LV Xiao-jing;Wang Zhanguo]
通讯作者：
Jin Pen;Wu Ju;Jiao Yu-heng;LV Xiao-jing;Wang Zhanguo
Temperature Behaviors of In(Ga)As/GaAs Quantum Dots and Patents on the T-Sensitivity of the Lasers
In(Ga)As/GaAs 量子点的温度行为以及激光器 T 灵敏度的专利
In(Ga)As/GaAs 量子点的温度行为以及激光器 T 灵敏度的专利
DOI：
10.2174/1874464810902030244
发表时间：
2009-10
期刊：
Recent Patents on Materials Science
影响因子：
--
作者：
[吴巨]
通讯作者：
吴巨
Effect of the growth mode on the two- to three-dimensional transition of InAs grown on vicinal GaAs(001) substrates
生长模式对邻位 GaAs(001) 衬底上生长的 InAs 二维到三维转变的影响
生长模式对邻位 GaAs(001) 衬底上生长的 InAs 二维到三维转变的影响
DOI：
10.1088/0957-4484/18/26/265304
发表时间：
2007-07
期刊：
Nanotechnology
影响因子：
3.5
作者：
[Jiao, Y.H., Wu, J., Lv, X.J., Wang, Z.G., Jin, P.]
通讯作者：
Jin, P.
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
微纳电子技术第46卷第2期
影响因子：
--
作者：
[吴巨]
通讯作者：
吴巨
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
影响因子：
--
作者：
[Wu, J., Wang, Z.G., Chen, Y.H.]
通讯作者：
Chen, Y.H.
共 8 条
量子点和量子线MBE生长中浸润层状态的研究
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批准号：69976027
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项目类别：面上项目
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资助金额：15.8万元
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批准年份：1999
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负责人：吴巨
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依托单位：
旁栅电压对GaAs场效应管栅极肖特基势垒影响的研究
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批准号：69676001
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项目类别：面上项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：1996
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负责人：吴巨
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依托单位：
国内基金
海外基金