课题基金基金详情
低压低功耗模拟集成电路技术研究
结题报告
批准号：
60072004
项目类别：
面上项目
资助金额：
16.0 万元
负责人：
杨谟华
依托单位：
电子科技大学
学科分类：
F0118.电路与系统
结题年份：
2003
批准年份：
2000
项目状态：
已结题
项目参与者：
于奇、陈勇、唐广、王兆明、王向展、杨沛锋、李竟春
关键词：
低压低功耗.模拟集成电路CMOS
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
中文摘要
该研究针对亚／深亚微米IC发展的瓶颈即电源电压与功耗限制，拟从发展LV／LP极限理论入手，开发新型MOS器件结构并建模，设计新一代基本电路组态，发展有效降低VT与工作电压墓ひ蘸湍Ｄ庥呕侄危迪值脱埂W级CMOS模拟集成技术。它符合绿色能源工程需求，有诩跚峁亩约啥仍际谙低臣珊屯贫夜执鶬C工艺水平与集成技术的纵深发埂?.
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
80Msps 双采样0.34(m Si CMOS开关电容滤波器
DOI：--
发表时间：--
期刊：电子学报.
影响因子：--
作者：于奇;杨谟华;程宇;唐林;宁宁;梅丁蕾;兰家隆
通讯作者：兰家隆
基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法
DOI：--
发表时间：--
期刊：半导体学报.
影响因子：--
作者：罗谦;杨谟华;杜江锋;梅丁蕾;王良臣;白云霞
通讯作者：白云霞
VLSI／ULSI可靠性的监测与模拟
  • 批准号：
    69576004
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    12.0万元
  • 批准年份：
    1995
  • 负责人：
    杨谟华
  • 依托单位：
    电子科技大学
国内基金
海外基金