VLSI／ULSI可靠性的监测与模拟
批准号：
69576004
项目类别：
面上项目
资助金额：
12.0 万元
负责人：
杨谟华
依托单位：
学科分类：
集成电路器件、制造与封装
结题年份：
1998
批准年份：
1995
项目状态：
已结题
项目参与者：
曾军、张开华、卢波、肖兵、刘诺、陈勇、喻军、于奇
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
电子科技大学学报
影响因子：
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作者：
[陈勇, 钟玲]
通讯作者：
钟玲
DOI：
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发表时间：
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期刊：
电子科技大学学报
影响因子：
--
作者：
[陈勇, 于奇等]
通讯作者：
于奇等
An Analgtical Physical Model for Short-channel MOSFETs
短沟道 MOSFET 的解析物理模型
短沟道 MOSFET 的解析物理模型
DOI：
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发表时间：
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期刊：
Semiconductor Sci & Tech
影响因子：
--
作者：
[杨谟华, 于奇等]
通讯作者：
于奇等
DOI：
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发表时间：
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期刊：
微电子学
影响因子：
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作者：
[刘永强, 于奇等]
通讯作者：
于奇等
DOI：
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发表时间：
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期刊：
电子科技导报
影响因子：
--
作者：
[杨谟华, 方明]
通讯作者：
方明
低压低功耗模拟集成电路技术研究
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批准号：60072004
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项目类别：面上项目
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资助金额：16.0万元
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批准年份：2000
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负责人：杨谟华
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依托单位：
国内基金
海外基金