有机场效应材料和器件已成为当今分子电子学领域中的一个研究热点，具有很强的应用背景和许多优点，吸引了越来越多的学术机构和大公司的注意，然而器件的稳定性还没有得到人们的高度重视。申请者针对有机场效应晶体管(FET)研究中的关键问题－如何得到高迁移率器件和如何提高器件的稳定性，提出了本申请。以设计、合成稳定的、高迁移率的有机场效应材料为切入点，把共轭的硫或氮杂环化合物定为目标产物。利用改变分子结构、引入取代基和杂原子来调整分子轨道能级位置和光学带隙，达到调控材料稳定性的目的。研制高迁移率的有机FET，采用多种途径提高器件的稳定性。考察分子结构、分子间相互作用、绝缘层的选取、绝缘层表面修饰、有机半导体层的成膜条件、薄膜的形貌和电极的选取对器件的稳定性、迁移率和开关比的影响。该研究具有重要的科学意义和潜在的应用前景。