本申请项目旨在探索和发展一种定位生长纳米线阵列图形结构的新方法。根据合金凝固时的溶质再分配原理,设计制备一类多晶合金箔片作为纳米线生长的基底，使得高温时合金基底晶界处所富集的溶质熔化成液相（液滴），形成与晶界自然图形相对应的溶质（催化剂）液相（液滴）图形。再根据纳米线VLS（vapor-liquid-solid）生长机理，通过物理、化学气相合成，在溶质（催化剂）液滴位置上定位生长出III-V族和II-IV族半导体纳米线有序阵列。这一合成思路和先采用刻蚀加工获得催化剂图形继而再定位生长出纳米线阵列的常规思路不同,它为定位生长准一维纳米材料的纳米图形结构体系提供了一条新途径。