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遗传晶界图形催化生长无机半导体纳米线阵列图形的研究

批准号:
20671027
项目类别:
面上项目
资助金额:
27.0 万元
负责人:
陈翌庆
依托单位:
学科分类:
无机合成
结题年份:
2009
批准年份:
2006
项目状态:
已结题
项目参与者:
苏勇、贾冲、周庆涛、张新华、忻敏君、吕友胜

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结项摘要

项目成果

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中文摘要
本申请项目旨在探索和发展一种定位生长纳米线阵列图形结构的新方法。根据合金凝固时的溶质再分配原理,设计制备一类多晶合金箔片作为纳米线生长的基底,使得高温时合金基底晶界处所富集的溶质熔化成液相(液滴),形成与晶界自然图形相对应的溶质(催化剂)液相(液滴)图形。再根据纳米线VLS(vapor-liquid-solid)生长机理,通过物理、化学气相合成,在溶质(催化剂)液滴位置上定位生长出III-V族和II-IV族半导体纳米线有序阵列。这一合成思路和先采用刻蚀加工获得催化剂图形继而再定位生长出纳米线阵列的常规思路不同,它为定位生长准一维纳米材料的纳米图形结构体系提供了一条新途径。
英文摘要
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专著列表
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会议论文列表
专利列表
Two-step solvothermal synthesis of alpha-MnS spheres: Growth mechanism and characterization
α-MnS 球的两步溶剂热合成:生长机制和表征
DOI: --
发表时间: --
期刊: Materials Letters
影响因子: 3
作者: [Jia, Chong, Zhou, Qingtao, Chen, Yiqing, Peng, Bo, Xin, Minjun, Su, Yong, Yin, Song, Zhang, Xinhua]
通讯作者: Zhang, Xinhua
Preparation and Photoluminescence of ZnO Comb-Like Structure and Nanorod Arrays
ZnO梳状结构和纳米棒阵列的制备及光致发光
DOI: 10.1088/1674-0068/20/03/308-314
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者: [Song Yin, Yiqing Chen, Yong Su, Qingtao Zhou]
通讯作者: Qingtao Zhou
Liquid phase epitaxial growth and optical property of flower-like ZnO nanosheets on Zinc foil
锌箔上花状ZnO纳米片的液相外延生长及其光学性能
DOI: 10.1016/j.apsusc.2007.09.023
发表时间: 2008-02
期刊: Applied Surface Science
影响因子: 6.7
作者: [Xin, Minjun, Zhang, Xinhua, Chen, Yiqing, Jia, Chong, Lv, Yousheng, Zhou, Qingtao, Kong, Weihai, Su, Yong]
通讯作者: Su, Yong
Urchin-like ZnO nanostructures: Synthesis, characterization and optical properties
海胆状 ZnO 纳米结构:合成、表征和光学性质
DOI: 10.1016/j.matlet.2009.02.059
发表时间: 2009-06
期刊: Materials Letters
影响因子: 3
作者: [Chen, Yiqing, Zhu, Yunqing, Shao, Yan, Zhang, Xinhua, Chen, Qiong]
通讯作者: Chen, Qiong
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    高硅铝合金“Si-液膜-Si”单元力学特性及晶间液膜热裂机理研究
    • 批准号:
      52071123
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      58.0万元
    • 批准年份:
      2020
    • 负责人:
      陈翌庆
    • 依托单位:
    Mg/Al液固复合界面的润湿及其凝固脆性相层的抑制机理研究
    • 批准号:
      51571080
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      62.0万元
    • 批准年份:
      2015
    • 负责人:
      陈翌庆
    • 依托单位:
    有序海胆状纳米结构设计合成及结构调制光电化学性能机理研究
    • 批准号:
      21071039
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      33.0万元
    • 批准年份:
      2010
    • 负责人:
      陈翌庆
    • 依托单位:
    自催化VLS法选择定位生长GaN纳米线阵列及其发光特性
    • 批准号:
      20471019
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      8.0万元
    • 批准年份:
      2004
    • 负责人:
      陈翌庆
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金