自催化VLS法选择定位生长GaN纳米线阵列及其发光特性
批准号:
20471019
项目类别:
面上项目
资助金额:
8.0 万元
负责人:
陈翌庆
依托单位:
学科分类:
无机合成
结题年份:
2005
批准年份:
2004
项目状态:
已结题
项目参与者:
杨保俊、苏勇、周如龙、陈林、姜晶
中文摘要
本申请项目以GaN纳米线作为图案原型,通过高温下GaN纳米线自身的内在化学反应,形成与图案形状排列一致的、具有催化性质的Ga纳米液滴(核)点阵结构,再利用"自催化气-液-固"(self-catalytic vapor-liquid-solid)生长机制定位生长出具有和设计图案相同的有序纳米线阵列结构。研究生长温度、生长腔气压、载流气流速、衬底性质等因素对定位生长的GaN纳米线阵列的形态、尺寸和纳米
英文摘要
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Self-catalytic formation and characterization of Zn2SnO4 nanowires
Zn2SnO4 纳米线的自催化形成及表征
DOI:
10.1016/j.matlet.2006.04.062
发表时间:
2007
期刊:
MATERIALS LETTERS (accepted)
影响因子:
--
作者:
[苏勇, 朱黎昂, 徐亮, 陈翌庆, 肖海花, 周庆涛, 凤仪]
通讯作者:
凤仪
Growth mechanism and ultraviolet-light emission of the self-assembled complex of MgO nanostructures
MgO纳米结构自组装复合物的生长机理和紫外光发射
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
影响因子:
--
作者:
[姜晶, 陈翌庆, 何照元, 苏勇, 周如龙, 陈林, 蔡东]
通讯作者:
蔡东
Self-catalytic growth and photoluminescence properties of ZnS nanostructures
ZnS纳米结构的自催化生长和光致发光特性
DOI:
10.1016/j.materresbull.2005.04.004
发表时间:
2005-08
期刊:
MATERIALS RESEARCH BULLETIN
影响因子:
5.4
作者:
[何照元, 苏勇, 陈翌庆, 姜晶, 蔡东, 陈林]
通讯作者:
陈林
Aligned silica nanowires on the inner wall of bubble-like silica film: the growth mechanism and photoluminescence
气泡状二氧化硅薄膜内壁上排列的二氧化硅纳米线:生长机制和光致发光
DOI:
10.1088/0957-4484/17/4/029
发表时间:
2006-02
期刊:
NANOTECHNOLOGY
影响因子:
3.5
作者:
[陈翌庆, 周庆涛, 蒋海峰, 苏勇, 肖海花, 朱黎昂, 徐亮]
通讯作者:
徐亮
Synthesis and photoluminescence properties of CdS nanobelts
CdS纳米带的合成及光致发光性能
DOI:
10.1016/j.matlet.2005.11.054
发表时间:
2006-05
期刊:
MATERIALS LETTERS
影响因子:
3
作者:
[徐亮, 苏勇, 蔡东, 陈翌庆, 凤仪]
通讯作者:
凤仪
共 9 条
高硅铝合金“Si-液膜-Si”单元力学特性及晶间液膜热裂机理研究
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批准号:52071123
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项目类别:面上项目
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资助金额:58.0万元
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批准年份:2020
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负责人:陈翌庆
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依托单位:
Mg/Al液固复合界面的润湿及其凝固脆性相层的抑制机理研究
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批准号:51571080
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项目类别:面上项目
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资助金额:62.0万元
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批准年份:2015
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负责人:陈翌庆
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依托单位:
有序海胆状纳米结构设计合成及结构调制光电化学性能机理研究
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批准号:21071039
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项目类别:面上项目
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资助金额:33.0万元
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批准年份:2010
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负责人:陈翌庆
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依托单位:
遗传晶界图形催化生长无机半导体纳米线阵列图形的研究
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批准号:20671027
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项目类别:面上项目
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资助金额:27.0万元
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批准年份:2006
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负责人:陈翌庆
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依托单位:
国内基金
海外基金