AlN/Diamond/Si多层膜声表面波器件及其高频特性研究
结题报告
批准号:
60576011
项目类别:
面上项目
资助金额:
22.0 万元
负责人:
杨保和
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2008
批准年份:
2005
项目状态:
已结题
项目参与者:
张秋燕、魏臻、熊英、李明、马靖
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
中文摘要
SAW器件已成为先进电子系统的关键器件之一,金刚石多层膜结构的相关工作是影响我国SAW器件发展的瓶颈,亟待进一步深入研究。AIN/diamond多层膜结构SAW器件可以达到更高的频率;相速度速度频散很小;中心频率随温度升高而漂移很小,比其它多层膜结构有特殊的优势。.用Maxwell方程组和细观力学理论,运用用CFD-ACE软件和ANSYS软件,模拟计算"AlN/金刚石"多层膜SAW性能,找出多层膜体系的优化方案;研究加少量氧有利于生成平整优质的金刚石膜机理。我们提出:氧更容易刻蚀晶粒突出的尖角部位,有利于抑制竞争性生长,有利于生成平整优质的金刚石膜。
英文摘要
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
高频、高Q值、高稳定性SAW谐振器多层膜材料研究
  • 批准号:
    50972105
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    37.0万元
  • 批准年份:
    2009
  • 负责人:
    杨保和
  • 依托单位:
高频LiNbO3/金刚石声表面波滤波器研究
  • 批准号:
    60276001
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    20.0万元
  • 批准年份:
    2002
  • 负责人:
    杨保和
  • 依托单位:
国内基金
海外基金