课题基金 / 基金详情

新型高密度快擦写相变光存储TiNi合金薄膜研究

批准号：
50471018
项目类别：
面上项目
资助金额：
27.0 万元
负责人：
蔡伟
依托单位：
哈尔滨工业大学
学科分类：
金属生物与仿生材料
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
国风云、高智勇、刘爱莲、刘文成、刘超、雷永超
关键词：
马氏体相变信息存储光学特性相变光存储TiNi合金薄膜

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中文摘要
采用射频磁控溅射方法制备相变光存储TiNi合非晶薄膜，并用快速晶化处理技术获得具有纳米晶粒的匀相薄膜；研究薄膜生长规律和晶化行为及其影响因素，建立薄膜生长物理模型和晶化动力学模型；研究纳米微区快速加热和冷却时薄膜中纳米单个晶粒的马氏体正逆转变特征、相变稳定性及其影响因素和机制；考察马氏体相变动态响应特性，建立响应特性与加热和冷却条件之间的内在联系；研究薄膜光学特性及其影响因素，揭示薄膜表面状态、微观结构和马氏体相变对光学特性的影响规律和微观机制；优化设计并制备光存储用多层膜结构，研究制备条件和后续处理对界面结构和晶格适配的影响规律，建立界面结构模型；研究薄膜光存储特性，查明膜层结构和相变对存储性能的影响，确定薄膜生长和晶化、膜层设计与制备工艺优化准则，研制出高质量相变光存储TiNi合金薄膜，为发展高存储密度、快擦写速率和高稳定性信息存储材料奠定理论基础。
英文摘要
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Formation of ZrO2 coating on t
ZrO2涂层的形成
DOI： --
发表时间： --
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First-principles study on allo
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One-dimensional and quasi-one-
一维和准一维
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发表时间： --
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Effect of bias voltage on the
偏置电压对的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [J.H. Sui, W. Cai]
通讯作者： W. Cai
共 14 条
    高性能室温立方无铅碲化锗基热电材料研究
    • 批准号：
      52271206
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      54万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      蔡伟
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    方钴矿表面高结合强度且低接触电阻率接触层研究
    • 批准号：
      51871082
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      60.0万元
    • 批准年份：
      2018
    • 负责人：
      蔡伟
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    记忆合金辐照诱发多类型缺陷与局域马氏体相变及功能行为关联性研究
    • 批准号：
      51731005
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      300.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      蔡伟
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    Ni-Mn-Ga铁磁记忆合金质子辐照效应及其机理研究
    • 批准号：
      51471060
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      85.0万元
    • 批准年份：
      2014
    • 负责人：
      蔡伟
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    国内基金
    海外基金