InP基RTD/HBT量子单片微波集成电路关键技术研究
批准号：
60676062
项目类别：
面上项目
资助金额：
30.0 万元
负责人：
齐鸣
依托单位：
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
王伟、徐安怀、艾立鹍、喻筱静、林玲、崔斌、田为中
关键词：
项目摘要
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中文摘要
本项目主要研究基于集成磷化铟（InP）异质结晶体管（HBT）和共振隧道二极管(RTD)结构的单片微波集成电路（MMIC）。采用器件模拟软件Medici模拟研究集成在InP衬底上的RTD和HBT器件，找到一种既能提高二者器件的电学性能，又能便于工艺实现集成的外延层结构；再从理论上分析器件层结构参数变化对RTD和HBT器件电学特性的影响，优化器件结构设计。同时，利用气态源分子束（GSMBE）工艺生长出该结构，探索新结构的生长机理。采用半导体微细加工技术实现RTD和HBT器件以及无源器件的单片集成，并提取出器件模型参数，嵌入到集成电路设计软件HP-ADS软件，模拟设计和实现RTD/HBT微波单片集成压控振荡器（VCO），达到改善电路相位噪声，提高线性度，减少芯片面积，降低功耗的目的，从而提高毫米波芯片集成收发系统性能。
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Study on InP/InGaAs/InP DHBT structure with step-graded composite collector
阶梯梯度复合集电极InP/InGaAs/InP DHBT结构研究
阶梯梯度复合集电极InP/InGaAs/InP DHBT结构研究
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
固体电子学研究与进展
影响因子：
--
作者：
[Ai, Likun, Sun, Hao, Zhu, Fuying, Qi, Ming, Xu, Anhuai]
通讯作者：
Xu, Anhuai
Heavily carbon-doped p-type GaAsSb grown by gas source molecular beam epitaxy
气源分子束外延生长重碳p型GaAsSb
气源分子束外延生长重碳p型GaAsSb
DOI：
--
发表时间：
2007-10
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[Qi, Ming, Xu, Anhuai, Ai, Likun, Sun, Hao, Zhu, Fuying]
通讯作者：
Zhu, Fuying
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
固体电子学研究与进展
影响因子：
--
作者：
[王伟, 齐鸣, 徐安怀, 孙晓玮, 孙浩]
通讯作者：
孙浩
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
功能材料与器件学报
影响因子：
--
作者：
[齐鸣, 徐安怀, 孙晓玮, 林玲, 王伟]
通讯作者：
王伟
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
固体电子学研究与进展
影响因子：
--
作者：
[徐安怀, 孙浩, 朱福英, 齐鸣, 艾立鹍]
通讯作者：
艾立鹍
气态源分子束外延InGaP/GaAs微结构材料及其物理研究
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批准号：69576034
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项目类别：面上项目
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资助金额：8.5万元
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批准年份：1995
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负责人：齐鸣
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依托单位：
国内基金
海外基金