气态源分子束外延InGaP/GaAs微结构材料及其物理研究

批准号：

69576034

项目类别：

面上项目

资助金额：

8.5 万元

负责人：

齐鸣

依托单位：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

学科分类：

半导体材料

结题年份：

1998

批准年份：

1995

项目状态：

已结题

项目参与者：

李爱珍、任尧成、陆泳、罗宇浩

关键词：

HBT InGaP/GaAs 气态源分子束外延

项目成果

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气源分子束外延生长的新型InGaP/(In)GaAs/GaAs P型调制掺杂异质结构

DOI： --

发表时间： --

期刊：

Journal of Crystal Growth

影响因子： 1.8

作者：

[J.X.Chen,A.Z.Li,Q.K.Yang,C.Lin,Y.C.Ren,S.R.Jin,C.C.Li,M.Qi]

通讯作者：

J.X.Chen,A.Z.Li,Q.K.Yang,C.Lin,Y.C.Ren,S.R.Jin,C.C.Li,M.Qi

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