掺硼金刚石半导体内部多元复合杂质缺陷的形成机制与结构调控研究
批准号：
12374012
项目类别：
面上项目
资助金额：
53 万元
负责人：
刘晓兵
依托单位：
曲阜师范大学
学科分类：
A.数理科学部
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
刘晓兵
关键词：
掺硼金刚石半导体内部形成机制与结构调控缺陷杂质
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
金刚石氮-空位中心形成机制及电荷调控机理探索
  • 批准号：
    11974208
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    63.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    刘晓兵
  • 依托单位：
    曲阜师范大学
国内基金
海外基金