1.7-2.5μm GaInNAs(Sb)/GaAs近红外材料生长及其器件应用
批准号：
60607016
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
27.0 万元
负责人：
徐应强
依托单位：
学科分类：
红外与太赫兹物理及技术
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
熊永华、任正伟、周志强、郝瑞亭
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
1.7-2.5μm波段GaAs基近红外光电材料及相关器件在近红外光谱分析技术中有着非常重要的应用前景。但由于工作于这个波段的材料通常与GaAs衬底之间都存在巨大的应变，这使得实现1.7-2.5μm波段GaAs基近红外光电器件非常困难。最近出现的GaInNAs(Sb)/GaAs材料，由于其能与构成分布反馈式布喇格反射镜（DBR）的理想材料GaAs/AlAs在GaAs衬底上一次外延得到并覆盖到1.7-2.5μm全波段，因此它是实现1.7-2.5μm GaAs基光电器件的理想材料。通过优化材料分子束外延(MBE)生长条件，优化量子阱结构，后期退火改进材料质量的方法生长出高质量的GaInNAs(Sb)/GaAs材料。然后通过优化器件结构设计以及制造工艺研究，研制1.7-2.5μm波段近红外GaInNAs(Sb)/GaAs光探测器。
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DOI：
10.1063/1.2919121
发表时间：
2008-05
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Ren, Zhengwei, Zhou, Zhiqiang, Tang, Bao, Hao, Ruiting, Niu, Zhichuan, Xu, Yingqiang]
通讯作者：
Xu, Yingqiang
DOI：
10.1088/0022-3727/40/21/031
发表时间：
2007-11
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
[R. Hao;Ying-qiang Xu;Zhiqiang Zhou;Z. Ren;H. Ni;Zhenhong He;Zhichuan Niu]
通讯作者：
R. Hao;Ying-qiang Xu;Zhiqiang Zhou;Z. Ren;H. Ni;Zhenhong He;Zhichuan Niu
DOI：
10.1088/0022-3727/40/4/025
发表时间：
2007-02
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
[R. Hao;Ying-qiang Xu;Zhiqiang Zhou;Z. Ren;H. Ni;Zhenhong He;Zhichuan Niu]
通讯作者：
R. Hao;Ying-qiang Xu;Zhiqiang Zhou;Z. Ren;H. Ni;Zhenhong He;Zhichuan Niu
Raman and photoluminescence spectra on type II InAs/GaSb superlattices
II 型 InAs/GaSb 超晶格的拉曼光谱和光致发光光谱
II 型 InAs/GaSb 超晶格的拉曼光谱和光致发光光谱
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering
影响因子：
--
作者：
[Guo, Jie, Sun, Wei-Guo, Peng, Zhen-Yu, Zhou, Zhi-Qiang, Xu, Ying-Qiang, Niu, Zhi-Chuan]
通讯作者：
Niu, Zhi-Chuan
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
功能材料
影响因子：
作者：
[Zhou, Zhi-Qiang, Chen, Hui-Juan, Peng, Zhen-Yu, Sun, Wei-Guo, Xu, Ying-Qiang, Lu, Zheng-Xiong, Guo, Jie, Niu, Zhi-Chuan, Hao, Rui-Ting, ]
通讯作者：
共 11 条
基于InAs/GaSb超晶格的新型中波红外雪崩光电二极管
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批准号：61274013
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项目类别：面上项目
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资助金额：86.0万元
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批准年份：2012
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负责人：徐应强
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依托单位：
国内基金
海外基金