1.7-2.5μm波段GaAs基近红外光电材料及相关器件在近红外光谱分析技术中有着非常重要的应用前景。但由于工作于这个波段的材料通常与GaAs衬底之间都存在巨大的应变，这使得实现1.7-2.5μm波段GaAs基近红外光电器件非常困难。最近出现的GaInNAs(Sb)/GaAs材料，由于其能与构成分布反馈式布喇格反射镜（DBR）的理想材料GaAs/AlAs在GaAs衬底上一次外延得到并覆盖到1.7-2.5μm全波段，因此它是实现1.7-2.5μm GaAs基光电器件的理想材料。通过优化材料分子束外延(MBE)生长条件，优化量子阱结构，后期退火改进材料质量的方法生长出高质量的GaInNAs(Sb)/GaAs材料。然后通过优化器件结构设计以及制造工艺研究，研制1.7-2.5μm波段近红外GaInNAs(Sb)/GaAs光探测器。