课题基金 / 基金详情

无铅铁电薄膜场效应晶体管的保持性能

批准号:
60876054
项目类别:
面上项目
资助金额:
35.0 万元
负责人:
唐明华
依托单位:
学科分类:
半导体电子器件与集成
结题年份:
2011
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
钟向丽、杨利文、杨锋、许华玉、赵文峰、孙中华、张军、束伟

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
无铅铁电薄膜存储器具有节能、环保、非挥发、存储速度快和抗辐射等突出优点,是国际信息高新技术研究的前沿和热点之一。困扰铁电薄膜及其存储器大规模应用的突出问题是铁电薄膜材料和器件的保持性能损失等可靠性问题,目前没有找到有效的解决办法。本项目以铋层状钙钛矿无铅铁电薄膜及铁电薄膜场效应晶体管的保持性能损失这个技术难题为研究对象,把薄膜和器件制备过程中的各种工艺参数的影响,尝试以铁电薄膜的电导率、载流子的捕获概率以及晶体管的栅极漏电流密度等参数为中间变量,结合电位移D、电容率 、外加电场E、极化强度P等参数,建立合适的理论模型并进行数值模拟,分析、解释、预测实验现象;提出保持性能损失的形成机理;确定失效准则;制备出具有自主知识产权、保持性能较好的铁电薄膜场效应晶体管。获发明专利2项,发表SCI收录论文15篇,培育2-3名硕士生。研究成果将为铁电存储器的大规模应用提供理论和实验基础。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI: 10.1002/pssr.200903194
发表时间: 2009-10
期刊: Physica Status Solidi-Rapid Research Letters
影响因子: 2.8
作者: [唐明华]
通讯作者: 唐明华
DOI: 10.1016/j.sse.2011.09.005
发表时间: 2012-02
期刊: Solid-state Electronics
影响因子: 1.7
作者: [L. B. Zhang;M. Tang;J. C. Li;Y. G. Xiao]
通讯作者: L. B. Zhang;M. Tang;J. C. Li;Y. G. Xiao
Top electrode-dependent resistance switching behavior of ZnO thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrate
Pt/Ti/SiO2/Si 基底上沉积的 ZnO 薄膜的顶部电极相关电阻切换行为
DOI: --
发表时间: --
期刊: Microelectronic Engineering
影响因子: 2.3
作者: [唐明华]
通讯作者: 唐明华
Doping concentration and thickness effects in ferroelectric thin films
铁电薄膜中的掺杂浓度和厚度效应
DOI: 10.1063/1.3364136
发表时间: 2010-03
期刊: Applied Physics Letters
影响因子: 4
作者: [唐明华]
通讯作者: 唐明华
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    基于忆阻器多模态存算一体阵列研究
    • 批准号:
      2023JJ50009
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      0.0万元
    • 批准年份:
      2023
    • 负责人:
      唐明华
    • 依托单位:
    面向存算一体应用的可重构铪基FeFET的易失-非易失双模动态调控
    • 批准号:
      --
    • 项目类别:
      --
    • 资助金额:
      82万元
    • 批准年份:
      2021
    • 负责人:
      唐明华
    • 依托单位:
    面向存算一体应用的可重构铪基FeFET的易失-非易失双模动态调控
    • 批准号:
      92164108
    • 项目类别:
      重大研究计划
    • 资助金额:
      82.0万元
    • 批准年份:
      2021
    • 负责人:
      唐明华
    • 依托单位:
    氧化哈基自整流阻变存储器的机理及性能调控
    • 批准号:
      2018JJ4037
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      0.0万元
    • 批准年份:
      2018
    • 负责人:
      唐明华
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金