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双异质外延Si/r-Al2O3/Si薄膜生长及其性能研究
批准号：
69076407
项目类别：
面上项目
资助金额：
5.6 万元
负责人：
郁元桓
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
F0401.半导体材料
结题年份：
1993
批准年份：
1990
项目状态：
已结题
项目参与者：
陆大成、昝玉德、邓惠方、刘忠林、王建华、王俊
关键词：
异质外延生长薄膜绝缘衬底上半导体
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钇稳定氧化锆(YSZ)衬底上硅薄膜生长及其性能研究
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