课题基金基金详情
钇稳定氧化锆(YSZ)衬底上硅薄膜生长及其性能研究
批准号：
68676026
项目类别：
面上项目
资助金额：
4.0 万元
负责人：
郁元桓
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
F04.半导体科学与信息器件
结题年份：
1989
批准年份：
1986
项目状态：
已结题
项目参与者：
--
关键词：
钇稳定氧化锆硅薄膜薄膜生长薄膜性能
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双异质外延Si/r-Al2O3/Si薄膜生长及其性能研究
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