新型ZnSe复合量子阱飞秒光双稳器件的研究
批准号：
69877020
项目类别：
面上项目
资助金额：
13.0 万元
负责人：
申德振
依托单位：
学科分类：
非线性光学
结题年份：
2001
批准年份：
1998
项目状态：
已结题
项目参与者：
栗红玉、羊亿、杨春雷
关键词：
项目成果
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Spontaneous and stimulated emission in ZnCdTe-ZnTe quantum well grown by LP-MOCVD
LP-MOCVD 生长 ZnCdTe-ZnTe 量子阱的自发发射和受激发射
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
[Chongxin Shan, Xiwu Fan, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, Y. M. Lu, Y. C. Liu, D. Z. Shen]
通讯作者：
Chongxin Shan, Xiwu Fan, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, Y. M. Lu, Y. C. Liu, D. Z. Shen
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
发光学报
影响因子：
--
作者：
[范希武, 于广友, 张吉英, 申德振]
通讯作者：
申德振
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
发光学报
影响因子：
--
作者：
[羊亿, 栗红玉, 申德振]
通讯作者：
申德振
The growth of ZnSe by photo-assisted metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)
光辅助金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长硒化锌
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
J. Cryst. Growth
影响因子：
--
作者：
[Yu GY, Fan XW, Zhang JY, Yang BJ, Zhao XW, Shen DZ, Lu YM]
通讯作者：
Yu GY, Fan XW, Zhang JY, Yang BJ, Zhao XW, Shen DZ, Lu YM
Carrier tunneling in anovel asymmetric quantum wellstructure
新型不对称量子阱结构中的载流子隧穿
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
J. Phys. D: Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
[Yu GY: Fan XW, Zhang JY, Shen DZ]
通讯作者：
Yu GY: Fan XW, Zhang JY, Shen DZ
共 10 条
MgZnO深紫外探测材料、器件的关键科学问题研究
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批准号：11134009
-
项目类别：重点项目
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资助金额：320.0万元
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批准年份：2011
-
负责人：申德振
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依托单位：
氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究
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批准号：60336020
-
项目类别：重点项目
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资助金额：200.0万元
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批准年份：2003
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负责人：申德振
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依托单位：
Zn Cd Se量子阱量子点微腔结构中激子的激发态过程研究
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批准号：60077015
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项目类别：面上项目
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资助金额：15.3万元
-
批准年份：2000
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负责人：申德振
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依托单位：
CdZnTe-ZnTe多量子阱F-P光双稳的研究
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批准号：69408002
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：7.5万元
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批准年份：1994
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负责人：申德振
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依托单位：
CdZnSe-ZnSe超晶格的激子饱和吸收和光双稳的研究
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批准号：69277022
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项目类别：面上项目
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资助金额：5.0万元
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批准年份：1992
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负责人：申德振
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依托单位：
国内基金
海外基金