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Zn Cd Se量子阱量子点微腔结构中激子的激发态过程研究

批准号:
60077015
项目类别:
面上项目
资助金额:
15.3 万元
负责人:
申德振
学科分类:
光子与光电子器件
结题年份:
2003
批准年份:
2000
项目状态:
已结题
项目参与者:
栗红玉、羊亿、杨春雷

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
根据半导体超晶格中的量子隧道效应及激子的微腔理论优化设计出ZnSe/Cd Se点/Zn Se量子阱量子点微腔中的激子动力学过程的研究。提示激子在这种结构中的动力学过程的本质,探索实现超高速光电子器件开关速度的有效途径和理论依据。本项工作对实现新型高速光开关器件有重要意义。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Optical Properties of ZnCdSe/ZnMgSe Multiple Quantum Wells Grwon by Molecular Beam Epitaxy
分子束外延生长ZnCdSe/ZnMgSe多量子阱的光学性质
DOI: --
发表时间: --
期刊: Chin.Phys. Lett
影响因子: --
作者: [Lu Youming, Shen Dezhen, Liu Yuchun]
通讯作者: Liu Yuchun
Photoluminescence of ZnSe-ZnS SQWs Grown by Vapor Epitaxy
气相外延生长的 ZnSe-ZnS SQW 的光致发光
DOI: --
发表时间: --
期刊: Chin. Phys. Lett
影响因子: --
作者: [Y.M.Lu, D.Z.Shen, Y.C.Liu, J.Y.Zhang, X.W.Fan]
通讯作者: X.W.Fan
The effect of diffusion on formation of self-assmbled CdSe quantum dots
扩散对自组装CdSe量子点形成的影响
DOI: --
发表时间: --
期刊: J.Cryst.Growth
影响因子: --
作者: [YiYang, D.Z.Shen, J.Y.Zhang, X.W.Fan, Z.H.Zhen]
通讯作者: Z.H.Zhen
DOI: --
发表时间: --
期刊: 固体电子学研究与进展
影响因子: --
作者: [吕有明, 申德振等]
通讯作者: 申德振等
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