Zn Cd Se量子阱量子点微腔结构中激子的激发态过程研究
批准号:
60077015
项目类别:
面上项目
资助金额:
15.3 万元
负责人:
申德振
依托单位:
学科分类:
光子与光电子器件
结题年份:
2003
批准年份:
2000
项目状态:
已结题
项目参与者:
栗红玉、羊亿、杨春雷
关键词:
中文摘要
根据半导体超晶格中的量子隧道效应及激子的微腔理论优化设计出ZnSe/Cd Se点/Zn Se量子阱量子点微腔中的激子动力学过程的研究。提示激子在这种结构中的动力学过程的本质,探索实现超高速光电子器件开关速度的有效途径和理论依据。本项工作对实现新型高速光开关器件有重要意义。
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Optical Properties of ZnCdSe/ZnMgSe Multiple Quantum Wells Grwon by Molecular Beam Epitaxy
分子束外延生长ZnCdSe/ZnMgSe多量子阱的光学性质
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
Chin.Phys. Lett
影响因子:
--
作者:
[Lu Youming, Shen Dezhen, Liu Yuchun]
通讯作者:
Liu Yuchun
Photoluminescence of ZnSe-ZnS SQWs Grown by Vapor Epitaxy
气相外延生长的 ZnSe-ZnS SQW 的光致发光
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
Chin. Phys. Lett
影响因子:
--
作者:
[Y.M.Lu, D.Z.Shen, Y.C.Liu, J.Y.Zhang, X.W.Fan]
通讯作者:
X.W.Fan
The effect of diffusion on formation of self-assmbled CdSe quantum dots
扩散对自组装CdSe量子点形成的影响
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
J.Cryst.Growth
影响因子:
--
作者:
[YiYang, D.Z.Shen, J.Y.Zhang, X.W.Fan, Z.H.Zhen]
通讯作者:
Z.H.Zhen
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
固体电子学研究与进展
影响因子:
--
作者:
[吕有明, 申德振等]
通讯作者:
申德振等
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
固体电子学研究与进展
影响因子:
--
作者:
[单崇新, 范希武, 张吉英, 张振中, 吕有明, 刘益春, 申德振]
通讯作者:
申德振
共 8 条
MgZnO深紫外探测材料、器件的关键科学问题研究
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批准号:11134009
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项目类别:重点项目
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资助金额:320.0万元
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批准年份:2011
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负责人:申德振
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依托单位:
氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究
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批准号:60336020
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项目类别:重点项目
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资助金额:200.0万元
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批准年份:2003
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负责人:申德振
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依托单位:
新型ZnSe复合量子阱飞秒光双稳器件的研究
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批准号:69877020
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项目类别:面上项目
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资助金额:13.0万元
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批准年份:1998
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负责人:申德振
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依托单位:
CdZnTe-ZnTe多量子阱F-P光双稳的研究
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批准号:69408002
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:7.5万元
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批准年份:1994
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负责人:申德振
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依托单位:
CdZnSe-ZnSe超晶格的激子饱和吸收和光双稳的研究
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批准号:69277022
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1992
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负责人:申德振
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依托单位:
国内基金
海外基金