本项目以申请者提出的优化横向功率器件特性的REBULF和ENDIF两种新技术为基础，分析了具有折叠硅表面新型LDMOS器件特性，获得了新型器件击穿电压与比导通电阻新的关系，新结构将优化横向功率器件的三种方法有机结合，通过电场调制效应、多数载流子积累效应和折叠硅表面，在一定击穿电压条件下，使得横向功率器件的比导通电阻突破了传统的硅极限关系，为降低功率器件导通损耗提供了新的技术。.本项目将优化硅基MOS类功率器件击穿电压与比导通电阻的方法成功应用于AlGaN/GaN HEMTs器件设计，共提出并设计了四种新器件结构。新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件结构是申请者针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理，提出的一种降低表面电场，提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。通过电场和击穿特性分析获得，新结构使击穿电压从传统结构的257V提高到550 V。成果发表于SCI检索期刊《中国科学：信息科学》2012年第42卷第6期。具有部分Si注入新型AlGaN/GaN HEMTs器件结构使击穿电压从常规结构的296V提高到400V，成果发表于SCI检索期刊《Micro & Nano Letters》2012年第7卷第1期和《Chin. Phys. B》2012年第21卷第5期。F离子注入新型AlGaN/GaN HEMTs器件结构通过减小GaN缓冲层体泄漏电流，提高器件击穿电压，成果发表于SCI检索期刊《物理学报》2012年第61卷第22期。新型阶梯AlGaN/GaN HEMTs结构利用AlGaN/GaN异质结形成的2DEG浓度随外延AlGaN层厚度降低而减小的规律，通过减薄靠近栅边缘外延的AlGaN层，使沟道2DEG浓度分区，使阶梯AlGaN交界出现新的电场峰，有效降低了栅边缘的高峰电场，优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布，使器件击穿电压从传统结构的446V，提高到新结构的640V。成果发表于SCI检索期刊《物理学报》2014年第63卷第5期。在N型缓冲层Super Junction LDMOS结构基础上，首次提出了一种具有REBULF效应新型REBULF SJ-LDMOS结构。成果发表于国际顶级期刊IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（VOL. 35, NO. 11, 2014）。