DVD-RAM用大功率650nmLD关键技术研究
批准号：
60236030
项目类别：
联合基金项目
资助金额：
136.0 万元
负责人：
马骁宇
依托单位：
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
徐云、刘素平、郭良、张广泽、郑凯、王丽明、孙捷
关键词：
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
本项目通过探索并优化DVD-RAM用大功率650nmLD的器件结构设计，优化工艺条件，研究退化机理，采用扩锌及非电流注入区实现非吸收窗口来消除COD，研制出100mW器件样品。该器件用于超高密度数字及多媒体存储可擦写DVD，市场前景广阔。
英文摘要
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Low-Threshold-Current and High-Out-Power 660nm Laser Diodes with a P-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R
适用于 DVD-RAM/R 的具有 P-GaAs 电流阻挡层的低阈值电流和高输出功率 660nm 激光二极管
适用于 DVD-RAM/R 的具有 P-GaAs 电流阻挡层的低阈值电流和高输出功率 660nm 激光二极管
DOI：
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发表时间：
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期刊：
Chinese Physics Letter
影响因子：
--
作者：
[Zheng Kai (郑凯), Ma XiaoYu (马骁宇), Lin Tao (林涛), Wang Jun (王俊), Liu Su-Ping (刘素平), Zhang Guang-Ze (张广泽)]
通讯作者：
Zhang Guang-Ze (张广泽)
High power red-light GaInP/AlGaInP laser diodes with nonabsorbing windows based on Zn diffusion-induced quantum well intermixing
基于 Zn 扩散诱导量子阱混合的具有非吸收窗口的高功率红光 GaInP/AlGaInP 激光二极管
基于 Zn 扩散诱导量子阱混合的具有非吸收窗口的高功率红光 GaInP/AlGaInP 激光二极管
DOI：
--
发表时间：
2006-01
期刊：
Chinese optics letter
影响因子：
--
作者：
[Kai Zheng (郑凯), Tao Lin (林涛), Li Jiang (江李), Jun Wang (王俊), Su Ping Liu (刘素平), Xin Wei (韦欣), Guang Ze Zhang (张广泽), Xiao Yu Ma (马骁宇)]
通讯作者：
Xiao Yu Ma (马骁宇)
高性能中远红外量子级联激光器
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批准号：--
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项目类别：重大项目
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资助金额：985万元
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批准年份：2019
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负责人：马骁宇
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依托单位：
国内基金
海外基金