高温、高频、高功率电子器件在无线通信，国防等领域具有重大应用价值，而III族氮化物宽禁带半导体，主要是AlGaN/GaN异质结构是研制该类电子器件的最优选材料，因此，发展AlGaN/GaN异质结构电子材料与器件，研究相关的材料与器件物理问题，是当今国际半导体研究的前沿领域。本申请项目以发展Ⅲ族氮化物高温微波功率器件、改善材料与器件高温性能为目标，以二维电子气的高温输运行为作重点，开展AlGaN/GaN异质结构的高温性质研究，主要研究内容包括：AlGaN/GaN异质结构材料的MOCVD生长、材料的高温微结构性质、高温晶格振动和电声子相互作用性质、二维电子气的高温输运性质、金属和AlGaN/GaN异质结构间欧姆接触和肖特基接触的高温性能、AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管原型器件的高温性能。这一工作的开展，对Ⅲ族氮化物高温微波功率器件研制和宽禁带半导体物理学的发展具有重要意义。