课题基金 / 基金详情

GaMnAs/GaAs异质结中自旋注入的全光控制研究

批准号：
10874247
项目类别：
面上项目
资助金额：
55.0 万元
负责人：
赖天树
依托单位：
中山大学
学科分类：
凝聚态物理新兴与交叉领域
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
王自鑫、徐初东、陈科、陈达鑫、张秀敏
关键词：
自旋注入效率稀磁半导体时间分辨光谱自旋极化流

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中文摘要
实验表明在低温下稀磁半导体GaMnAs是一个好的自旋极化注入源，因此国际上正在努力提升它的铁磁相变温度到室温，期待它能解决未来室温下半导体自旋电子器件的自旋极化注入问题。然而，室温下GaMnAs是否也具有高的自旋极化注入效率？目前尚不清楚。本项目利用全光自旋注入和检测技术研究室温下GaMnAs/GaAs异质结中电子自旋极化扩散注入效率；利用单、双光子激发的自旋波之间的量子干涉控制实现GaMnAs中自旋极化电流的产生，在GaAs层中检测自旋流的注入效率；研究自旋极化扩散和自旋极化流的注入效率随Mn掺杂浓度、GaAs的n掺杂浓度和样品的退火处理的变化，弄清GaMnAs在室温下是否能实现高效率自旋注入，对GaMnAs材料的应用前景作出评估。对GaMnAs材料和半导体自旋电子器件的发展具有重要的科学意义和应用价值。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
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会议论文列表
专利列表
GdFeCo 非晶薄膜中飞秒激光感应的反常磁滞回线环的起源
DOI： --
发表时间： --
期刊： Appl. Phys. Lett.
影响因子： --
作者： [Chudong Xu, Shiming Zhou, Tianshu Lai, Zhifeng Chen, Daxin Chen]
通讯作者： Daxin Chen
半金属锑薄膜中电子动力学研究
DOI： --
发表时间： --
期刊： 物理学报,58(5),3548 (2009)
影响因子： --
作者： [陈宇辉, 王阳, 左方圆, 赖天树, 吴宜群]
通讯作者： 吴宜群
铁磁薄膜中圆偏振光感应的瞬态磁光Kerr峰的物理起源
DOI： --
发表时间： --
期刊： 物理学报
影响因子： --
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通讯作者： 陈达鑫
单个皮秒激光脉冲辐照的AgInSbTe相变薄膜的光电性质
DOI： --
发表时间： --
期刊： J. Non-Crystalline Solids
影响因子： --
作者： [Fuxi Gan, Tianshu Lai, Fangyuan Zuo, Yang Wang, Fan Huang, Fengxiao Zhai, Yiqun Wu]
通讯作者： Yiqun Wu
共 21 条
    石墨烯中电子自旋弛豫动力学的飞秒时间分辨磁光谱研究
    • 批准号：
      12074441
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      63.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      赖天树
    • 依托单位：
      中山大学
    石墨烯中自旋极化电子光注入与自旋弛豫动力学的磁光谱研究
    • 批准号：
      --
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      赖天树
    • 依托单位：
      中山大学
    纳米多层相变薄膜的相变参数的纳米结构调控机理研究
    • 批准号：
      11774438
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      74.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      赖天树
    • 依托单位：
      中山大学
    石墨烯中超快载流子弛豫与输运动力学的飞秒吸收光谱研究
    • 批准号：
      61475195
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      82.0万元
    • 批准年份：
      2014
    • 负责人：
      赖天树
    • 依托单位：
      中山大学
    国内基金
    海外基金