量子阱中电子自旋偏振输运的空间分辨飞秒激光光谱研究
批准号:
60678009
项目类别:
面上项目
资助金额:
29.0 万元
负责人:
赖天树
依托单位:
学科分类:
激光
结题年份:
2009
批准年份:
2006
项目状态:
已结题
项目参与者:
文锦辉、李熙莹、刘晓东、滕利华、黄志凌、陈小雪
中文摘要
发展了一种普适性的椭圆偏振光泵浦-探测光谱技术及其理论,包括目前的线偏振和圆偏振光泵浦-探测光谱理论为其特例。这种光谱具有实验容易、实验设备造价低、消除理论与实验之间的系统误差等优点,具有重大的应用价值。本项目采用飞秒时间与微米空间分辨的椭圆偏振光泵浦-探测光谱研究GaAs量子阱中电子自旋偏振的空间输运及其随偏置电压的变化。提出电子自旋偏振输运尺度的标度问题,指出目前报道的电子自旋偏振输运的初步研究结果可能低估了输运尺度。提出一种新的焦平面上亚微米分辩扫描方法。本项目的开展将为新一代半导体自旋电子器件的研制提供重要的物理基础,具有重要的科学意义和应用价值,因为自旋电子器件具有体积小、功耗小、速度快和信息不易丢失等优点。
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Study of injection and relaxation of electron spins in InGaN film by time-resolved absorption spectroscopy
时间分辨吸收光谱研究InGaN薄膜中电子自旋的注入和弛豫
DOI:
10.7498/aps.57.3853
发表时间:
2008-06
期刊:
物理学报
影响因子:
--
作者:
[Liu Xiao-Dong, Wen Jin-Hui, Huang Qi-Wen, Lai Tian-Shu, Lin Wei-Zhu, Teng Li-Hua, Chen Xiao-Xue]
通讯作者:
Chen Xiao-Xue
Effect of spin polarization on electron recombination dynamics in bulk intrinsic GaAs
自旋极化对块状本征 GaAs 中电子复合动力学的影响
DOI:
10.7498/aps.57.6593
发表时间:
2008-10
期刊:
物理学报
影响因子:
--
作者:
[Lai Tian-Shu, Teng Li-Hua, Lin Wei-Zhu, Huang Zhi-Ling, Wen Jin-Hui, Yu Hua-Liang]
通讯作者:
Yu Hua-Liang
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
物理学报 58 (1),580-4 (2009)
影响因子:
--
作者:
[高瑞鑫, 徐振, 陈达鑫, 徐初东, 陈志峰, 刘晓东, 周仕明, 赖天树]
通讯作者:
赖天树
Dynamics of magnetization, reversal, and ultrafast demagnetization of TbFeCo amorphous films
TbFeCo非晶薄膜的磁化、反转和超快退磁动力学
DOI:
10.1063/1.2943281
发表时间:
2008-06-09
期刊:
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子:
4
作者:
[Liu, Xiaodong, Xu, Zhen, Lai, Tianshu]
通讯作者:
Lai, Tianshu
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
科学通报 53,31-35 (2008)
影响因子:
--
作者:
[焦中兴, 雷亮, 黄志凌, 文锦辉, 赖天树, 林位株]
通讯作者:
林位株
共 18 条
石墨烯中电子自旋弛豫动力学的飞秒时间分辨磁光谱研究
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批准号:12074441
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项目类别:面上项目
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资助金额:63.0万元
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批准年份:2020
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负责人:赖天树
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依托单位:
石墨烯中自旋极化电子光注入与自旋弛豫动力学的磁光谱研究
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批准号:--
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2019
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负责人:赖天树
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依托单位:
纳米多层相变薄膜的相变参数的纳米结构调控机理研究
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批准号:11774438
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项目类别:面上项目
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资助金额:74.0万元
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批准年份:2017
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负责人:赖天树
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依托单位:
石墨烯中超快载流子弛豫与输运动力学的飞秒吸收光谱研究
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批准号:61475195
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项目类别:面上项目
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资助金额:82.0万元
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批准年份:2014
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负责人:赖天树
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依托单位:
GaAs半导体及其量子阱中电子自旋输运动力学的飞秒吸收光谱研究
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批准号:11274399
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项目类别:面上项目
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资助金额:93.0万元
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批准年份:2012
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负责人:赖天树
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依托单位:
超高记录密度铁磁薄膜的热磁与全光磁化反转机理与超快动力学研究
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批准号:61078027
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项目类别:面上项目
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资助金额:50.0万元
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批准年份:2010
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负责人:赖天树
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依托单位:
GaMnAs/GaAs异质结中自旋注入的全光控制研究
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批准号:10874247
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项目类别:面上项目
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资助金额:55.0万元
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批准年份:2008
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负责人:赖天树
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依托单位:
GaAs量子阱中电子自旋偏振弛豫和输运的超快激光研究
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批准号:60378006
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项目类别:面上项目
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资助金额:7.0万元
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批准年份:2003
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负责人:赖天树
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依托单位:
GaN的载流子动力学的飞秒激光光谱研究
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批准号:69888005
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1998
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负责人:赖天树
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依托单位:
国内基金
海外基金