GaAs量子阱中电子自旋偏振弛豫和输运的超快激光研究
批准号:
60378006
项目类别:
面上项目
资助金额:
7.0 万元
负责人:
赖天树
依托单位:
学科分类:
激光
结题年份:
2004
批准年份:
2003
项目状态:
已结题
项目参与者:
徐耕、李熙莹、王嘉辉、寿倩、邓莉、刘鲁宁、陈晓文
中文摘要
本项目采用圆偏振激光激发GaAs量子阱,光注入导带自旋偏振电子。采用飞秒时间分辨和微米空间分辨泵浦-探测饱和吸收光谱技术研究电子自旋偏振的时间弛豫和空间输运以及偏置电压对自旋偏振输运的影响,弄清电子自旋偏振退偏振的物理机制及其与量子阱结构的关系。首次提出电子自旋偏振输运尺度的标度问题,并给出一种实验标度方法,指出目前报道的电子自旋偏振输运的初步研究可能低估了输运尺度。本项目的开展将为半导体自旋电子
英文摘要
石墨烯中电子自旋弛豫动力学的飞秒时间分辨磁光谱研究
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批准号:12074441
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项目类别:面上项目
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资助金额:63.0万元
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批准年份:2020
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负责人:赖天树
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依托单位:
石墨烯中自旋极化电子光注入与自旋弛豫动力学的磁光谱研究
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批准号:--
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2019
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负责人:赖天树
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依托单位:
纳米多层相变薄膜的相变参数的纳米结构调控机理研究
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批准号:11774438
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项目类别:面上项目
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资助金额:74.0万元
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批准年份:2017
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负责人:赖天树
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依托单位:
石墨烯中超快载流子弛豫与输运动力学的飞秒吸收光谱研究
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批准号:61475195
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项目类别:面上项目
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资助金额:82.0万元
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批准年份:2014
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负责人:赖天树
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依托单位:
GaAs半导体及其量子阱中电子自旋输运动力学的飞秒吸收光谱研究
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批准号:11274399
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项目类别:面上项目
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资助金额:93.0万元
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批准年份:2012
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负责人:赖天树
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依托单位:
超高记录密度铁磁薄膜的热磁与全光磁化反转机理与超快动力学研究
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批准号:61078027
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项目类别:面上项目
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资助金额:50.0万元
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批准年份:2010
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负责人:赖天树
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依托单位:
GaMnAs/GaAs异质结中自旋注入的全光控制研究
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批准号:10874247
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项目类别:面上项目
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资助金额:55.0万元
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批准年份:2008
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负责人:赖天树
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依托单位:
量子阱中电子自旋偏振输运的空间分辨飞秒激光光谱研究
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批准号:60678009
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项目类别:面上项目
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资助金额:29.0万元
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批准年份:2006
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负责人:赖天树
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依托单位:
GaN的载流子动力学的飞秒激光光谱研究
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批准号:69888005
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1998
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负责人:赖天树
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依托单位:
国内基金
海外基金