基于金刚石薄膜的电子器件能够在硅器件无法应用的场合发挥不可替代的作用，特别是基于场效应原理的光敏晶体管将具有重要的应用前景，预期可实现高温、高速、高功率和高抗辐照器件。.针对目前单晶金刚石薄膜和n型掺杂技术还未突破，本项目拟采用两种材料用于光敏晶体管的p型沟道，有望简化器件制作工艺并可同时改善器件性能：（1）非掺杂氢终端高度[001]定向金刚石薄膜；（2）在一定厚度的非掺杂[001]定向金刚石薄膜上，通过改变工艺参数再沉积一层纳米晶薄膜，这种复合材料有望获得厚度满足要求的光滑表面。在此基础上，对光敏晶体管进行优化设计，解决肖特基势垒栅场效应晶体管关键制备技术，揭示薄膜沟道层参数、晶粒取向性、晶粒尺寸纳米化、器件结构尺寸与器件光电性能之间的影响规律，为获得超高速、大功率场效应光敏晶体管提供实验和理论依据，为我国新型光敏晶体管的发展打下基础，并使这一领域的研究水平能迅速跻身于世界先进行列。