该研究针对集成纳机电探针阵列技术，面向新一代超高密度信息存储器技术，开拓我国硅基纳机电系统技术。研究主要通过纳机电探针基础问题研究和器件设计模型的研究，再通过纳机电集成制造技术，形成悬臂梁- - 纳米针尖集成探针阵列。在探针中集成电热脉冲针尖和压阻力- - 位移敏感器于一体。用电热脉冲来形成纳米数据点的写入，通过悬臂梁上的高敏感度压阻传感器读出数据。通过对纳机械热写薄膜材料和低温相变薄膜材料的研究与制备，形成超高密度存储媒体。通过实验得到30-100Gb/平方英寸面密度的数据存储能力。最后形成封装一体的存储器原理样机和技术。该研究对形成取代硬盘的新一代存储器、超高密度光存储器以及移动手持通讯器用微型存储器等新一代产品技术都有十分重要的研究意义。在开拓纳机电探针关键共性技术之外，也将对交叉学科高新技术领域- - 纳机电系统与纳机械技术在我国的起步和发展有重要意义