III-V族化合物半导体器件太赫兹建模和电路验证
批准号:
62034003
项目类别:
重点项目
资助金额:
303 万元
负责人:
高建军
依托单位:
学科分类:
F0402.集成电路设计
结题年份:
--
批准年份:
2020
项目状态:
未结题
项目参与者:
高建军
关键词:
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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基于67-110GHz毫米波测试的HBT器件建模和低功耗电路设计
- 批准号:61774058
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:63.0万元
- 批准年份:2017
- 负责人:高建军
- 依托单位:
40纳米工艺MOSFET器件毫米波建模和低功耗电路设计
- 批准号:61474044
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:84.0万元
- 批准年份:2014
- 负责人:高建军
- 依托单位:
高电子迁移率晶体管毫米波建模和可靠性研究
- 批准号:61176036
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:65.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:高建军
- 依托单位:
国内基金
海外基金















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