新型铁电场效应存储器(FeOFET)关键材料、工艺及机理研究

本项目对有机铁电晶体管存储器（简称FeOFET）关键材料的制备工艺、材料特性以及晶体管存储器的集成技术和器件性能进行了较为细致的研究，首先采用旋涂法和有序分子组装（LB法）制备了P(VDF-TrFE)薄膜，通过对其表面形貌、晶粒大小、结晶度等的测试分析，获得了较好的薄膜制备条件，并基于此制备得到电学特性优良的铁电薄膜。采用热蒸发制备了并五苯薄膜，通过工艺参数的优化，获得了良好的薄膜结晶性能和电学特性，并以其作为沟道材料，设计并制备了多种并五苯OFET的背栅晶体管器件。研究了以P(VDF-TrFE)、PVP/P(VDF-TrFE)、PI、SiO2等不同薄膜材料作为栅介质的并五苯OFET的晶体管特性，对不同栅介质材料上淀积并五苯薄膜的微观形貌与特性进行了表征和分析，探索了不同栅介质薄膜对并五苯晶体管的性能影响机制，并基于此对材料和器件结构进行优化设计和制备，获得并实现了具有良好晶体管特性和一定存储功能的FeOFET原型器件。