薄膜体声波谐振器（FBAR）在射频电路以及传感器领域有着广泛的应用。本项目研究了基于光电效应与压电谐振效应相互耦合的FBAR 紫外光传感器，对今后进一步研究这类型新型传感器提供了理论基础和实验数据。本项目有关成果先后在华为、SMIC等得到应用，发表国际学术期刊论文20篇。申请专利9项授权4项。主要结论如下：.（1）研究了器件制备工艺和结构参数影响。①对比三种制备压电薄膜工艺：磁控溅射、ALD+磁控溅射以及溶胶凝胶+磁控溅射。②对比两种刻蚀工艺：湿法背刻蚀硅和DEEP RIE干法刻蚀工艺。③对比不同电极：金属Au、Al、Mo、Ti、Cr等以及非金属导电氧化物的ITO、AZO和ZnO、石墨烯。④对比不同声场结构的器件：纵波结构和侧向场横波结构。⑤对比不同金属电极layout：全金属、不同指条状栅电极和镂空电极。⑥对比不同工作状态下的传感特性：不同表面载流子浓度、不同工作温度和偏压等。.（2）研究了FBAR 紫外光传感器和红外光传感器特性。研究了传感器的不同波长的光灵敏度、温度影响、稳定性和重复性、响应时间、疲劳、介质击穿以及迟滞现象等非线性特性，获得了一些有意义的结论。所制备的FBAR谐振频率基本上在1.4-1.6GHz之间，Q值普遍在 950-1000左右，Q值最高可达1540，谐振点损耗最大-8dB，温度系数TCF 为-59.48 ppm/℃。.（3）提出并验证了器件工作机理，给出了器件模型和仿真器件库单元。对于紫外光传感器，上电极与ZnO形成肖特基势垒接触二极管结构，该肖特基二极管与FBAR压电堆形成混合器件结构，其中结电容与FBAR静电容串联、与FBAR动态电容并联，肖特基结电阻与接触电阻串联，形成混合器件模型。对于红外光传感器，其工作机理是FBAR的PZT及时压电体也是热电体，PZT的介电常数会随着温度而明显变化，这样FBAR的静态电容会随着温度的变化，从而导致谐振频率的偏移。.（4）提出了一些新器件，发现了新现象，主要是：①提出并建立了电调FBAR的新方法和机理，得到了实验验证，最大电调可达30MHz@1.5GHz，同时Q值保持在600以上。②提出并实现了新颖的柔性FBAR及其集成新工艺，对于打破安华高专利壁垒具有重要意义。③发现了ZnO的FBAR在射频电压作用下受激辐射特性。