随着光存储、光催化、医疗及纳米切割等技术的发展，对深紫外光电子材料与器件的需求越来越紧迫。六角层状结构氮化硼（h-BN）所具有的优良光电性质，优于其他深紫外光电子候选材料的结构完整性及在高温高压下的稳定性，使其成为新一代深紫外探测器最具应用前景的候选材料。由于层状材料本身的复杂性，自h-BN单晶成功制备以来，其基本的光学与电学属性就成为争论的焦点。本项目以h-BN光电属性的应力响应为切入点，采用现代能带理论方法和分子动力学方法，深入分析外应力及无序堆跺及层内缺陷引起的内应力对材料光电属性的调制效应。一方面澄清无序堆跺及层内缺陷对h-BN材料基本电子结构的影响及物理机制；另一方面在材料应力响应的研究基础上阐明其基本光电属性并构建h-BN材料内外应力调控的微观物理模型。本课题的开展不但可以深化对h-BN材料基本电子结构的理解，同时为实现h-BN基深紫外探测器制备与调控提供理论基础。