复合氧化锌超晶格结构纳米线阵列的生长和电学性质

内容：利用化学气相外延沉积（CVED）技术在ZnO(0001)衬底上合成复合氧化锌（InGaO3(ZnO)m）超晶格纳米线阵列,通过优化生长条件，实现阱宽即m值可调和纳米线取向生长。利用透射电子显微镜，x射线技术和扫描电子显微镜研究生长条件对纳米材料的结构和形貌的影响；利用导电模式原子力显微镜（C-AFM）测量纳米线阵列中单根纳米线的电子输运特性和纳米线阵列的导电性；同时，研究阱宽和纳米线的直径对电子输运特性的影响。.意义：实验证明，用InGaO3(ZnO)5薄膜制作的透明的场效应晶体管(TFET)表现出很好的工作性能，体现了复合氧化锌（InGaO3(ZnO)m）超晶格材料在透明半导体器件中的应用潜力。目前，科学家对透明电路在新一代的光电器件发展中寄予厚望。众所周知，实现透明电路的关键就是TFET器件的研发。因此，研究这种材料具有重要的学术意义和应用价值。