SiC异构多型体薄膜的SSMBE制备及其结构的同步辐射表征
批准号：
50572100
项目类别：
面上项目
资助金额：
27.0 万元
负责人：
徐彭寿
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2008
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
潘海斌、王科范、邹崇文、刘金锋、孙柏、武煜宇
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中文摘要
半导体异质结构和超晶格材料在半导体器件中有着非常重要的应用。而近几年出现的一种新型的由具有不同晶体结构的同种材料构成的异构多型体结构体系则是一种极具应用潜力的新型异质（构）结构和超晶格体系。对SiC异构多型体结构材料的研究，不仅在基础研究上具有重要意义，而且在实际应用中也具有重要价值。本课题将利用固体源分子束外延（SSMBE）生长技术，通过控制生长条件，探索SiC单晶薄膜和异构多型体结构薄膜生长的工艺条件，在Si、SOI或SiC衬底上制备具有不同晶型的SiC异构多型体结构薄膜。利用同步辐射和其它常规实验技术对制备的样品进行原位和非原位的结构表征及光电特性测量，从而揭示这种新型异构多型体结构材料的界面形成、界面原子和电子结构及其对SiC光电特性的影响。
英文摘要
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
真空科学与技术学报，Vol.27, No.1，5-9，2007
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1088/0256-307x/24/7/065
发表时间：
2007-07
期刊：
Chinese Physics Letters
影响因子：
3.5
作者：
[Liu Yan-fang;Liu Jin-feng;Xu Pengshou;Pan Hai-bin]
通讯作者：
Liu Yan-fang;Liu Jin-feng;Xu Pengshou;Pan Hai-bin
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
中国科学技术大学学报，Vol.36，No.9， 1001-1004，2006
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
无机材料学报，Vol.23, No.5， 928-932，2008
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
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期刊：
影响因子：
作者：
[]
通讯作者：
共 19 条
SiC表面石墨烯的外延生长及其界面结构的同步辐射表征
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批准号：50872128
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项目类别：面上项目
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资助金额：38.0万元
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批准年份：2008
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负责人：徐彭寿
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依托单位：
稀土和过渡金属磁性超薄膜电子结构的同步辐射研究
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批准号：19574042
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项目类别：面上项目
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资助金额：8.0万元
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批准年份：1995
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负责人：徐彭寿
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依托单位：
利用同步辐射研究碱金属和半导体界面的电子结构
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批准号：19174047
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项目类别：面上项目
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资助金额：3.4万元
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批准年份：1991
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负责人：徐彭寿
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依托单位：
国内基金
海外基金