SiC表面石墨烯的外延生长及其界面结构的同步辐射表征
批准号：
50872128
项目类别：
面上项目
资助金额：
38.0 万元
负责人：
徐彭寿
依托单位：
学科分类：
碳素材料与超硬材料
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
潘国强、武煜宇、刘忠良、唐军、康朝阳
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
石墨烯（Graphene）是近几年新发现的由六边形网格形成的二维碳平面材料。由于它在电学特性方面具有许多优良性质，从而在纳米电子学和自旋电子学元器件的制备以及大规模集成纳电子电路的设计中有重要应用。本课题打算利用我们已有的超高温分子束外延设备，使用高温退火或高温退火并辅助C束流的方法，通过控制生长条件、优化生长工艺，在SiC表面外延生长结晶性能良好、层数可控的单层或多层石墨烯样品。利用各种实验技术，特别是同步辐射实验技术对制备的样品进行原位或非原位的结构表征，从而揭示石墨烯在SiC表面的形成和界面结构以及界面对石墨烯电子结构的影响。本课题的研究，不仅在基础研究上具有重要意义，而且在实际应用中也具有重要价值。
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
作者：
[徐彭寿, 武煜宇, Andrew Thye Shen Wee, 陈石, 高新宇, ]
通讯作者：
DOI：
10.3724/sp.j.1077.2011.00472
发表时间：
2011-04
期刊：
无机材料学报
影响因子：
--
作者：
[李利民, 韦世强, 康朝阳, 潘国强, 唐军, 徐彭寿, 闫文盛]
通讯作者：
闫文盛
Epitaxial Growth of Graphene on 6H-SiC (0001) by Thermal Annealing
通过热退火在 6H-SiC (0001) 上外延生长石墨烯
通过热退火在 6H-SiC (0001) 上外延生长石墨烯
DOI：
10.1088/0256-307x/26/8/088104
发表时间：
2009
期刊：
Chinese Physics Letters
影响因子：
3.5
作者：
[Kang Chao-Yang, Wei Shi-Qiang, Pan Hai-Bin, Tang Jun, Liu Zhong-Liang, Gao Yu-Qiang, Xu Peng-Shou, Xu Xian-Gang]
通讯作者：
Xu Xian-Gang
DOI：
10.1016/j.apsusc.2011.02.068
发表时间：
2012
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
[C. Kang;Jun Tang;Limin Li;H. Pan;P. Xu;Shiqiang Wei;Xiufang Chen;Xiangang Xu]
通讯作者：
C. Kang;Jun Tang;Limin Li;H. Pan;P. Xu;Shiqiang Wei;Xiufang Chen;Xiangang Xu
Growth of Few-Layer Graphene on Sapphire Substrates by Directly Depositing Carbon Atoms
通过直接沉积碳原子在蓝宝石衬底上生长少层石墨烯
通过直接沉积碳原子在蓝宝石衬底上生长少层石墨烯
DOI：
10.1088/0256-307x/28/11/118101
发表时间：
2011-10
期刊：
Chinese Physics Letters
影响因子：
3.5
作者：
[Tang Jun, Kang Chao-Yang, Xu Peng-Shou, Yan Wen-Sheng, Li Li-Min, Wei Shi-Qiang, Liu Zhong-Liang]
通讯作者：
Liu Zhong-Liang
共 15 条
SiC异构多型体薄膜的SSMBE制备及其结构的同步辐射表征
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批准号：50572100
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项目类别：面上项目
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资助金额：27.0万元
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批准年份：2005
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负责人：徐彭寿
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依托单位：
稀土和过渡金属磁性超薄膜电子结构的同步辐射研究
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批准号：19574042
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项目类别：面上项目
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资助金额：8.0万元
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批准年份：1995
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负责人：徐彭寿
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依托单位：
利用同步辐射研究碱金属和半导体界面的电子结构
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批准号：19174047
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项目类别：面上项目
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资助金额：3.4万元
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批准年份：1991
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负责人：徐彭寿
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依托单位：
国内基金
海外基金