通过对小尺寸GCHT器件、超薄体全耗尽SOI MOSFET、DSOI器件的研究实现高速低功耗器件，在分析器件工作物理机制的基础上，进行器件优化设计，理论模型建立及相应参数提取工作，完成关键工艺及工艺集成研究，研制出适于SOC的高速低功耗器件，并试制相应的电路模块，为同时提高SOC电路速度和功耗性能奠定基础。