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4d过渡族Mo基金属氧化物的物性与电子结构研究

批准号：
10474100
项目类别：
面上项目
资助金额：
33.0 万元
负责人：
孙玉平
依托单位：
中国科学院合肥物质科学研究院
学科分类：
凝聚态物质输运性质
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
王江龙、盛志高、马永青、赵帮传、张瑞丽
关键词：
过渡族Mo基氧化物电子结构电输运4d磁性

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
合成高质量的钼基An+1MonO3n+1氧化物多晶、单晶和薄膜材料(包括元素掺杂样品)；确定所研究材料的晶体结构；测量材料的的电输运、磁性、比热、热导等物理性质，从点阵畸变、能带填充、替代无序、Mo-O层内、Mo-O层间交换耦合等角度研究元素掺杂对材料电、磁、热等物理性质的影响，确定材料的磁结构、导电性质与电荷掺杂浓度之间的电子相图；结合实验结果，计算材料的电子结构，探索在所研究材料中可能出现诸如金属-绝缘转变、自旋序、电荷序、轨道序、相分离、量子临界点等物理现象的物理起源；建立电荷-自旋-轨道-点阵自由度之间关联的理论模型。该项目属于探索性较强的研究，它既可以丰富凝聚态物理研究的数据库，拓宽和加深人们对电子强关联体系的理解和认识；同时也可能发现在技术上有用的新现象。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Preparation of SrMoO4 thin fil
SrMoO4薄膜的制备
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [H. C. Lei, Y. P. Sun*, X. B. Z]
通讯作者： H. C. Lei, Y. P. Sun*, X. B. Z
Effect of Mo substitution in t
Mo 取代对 t 的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [W. J. Lu, Y. P. Sun,* R. Ang,]
通讯作者： W. J. Lu, Y. P. Sun,* R. Ang,
Mn doping-induced semiconducti
Mn掺杂诱导半导体
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [S.B. Zhang, Y.P. Sun*, B.C. Zh]
通讯作者： S.B. Zhang, Y.P. Sun*, B.C. Zh
Influence of Pr-doping on stru
Pr掺杂对结构的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [S.B. Zhang, Y.P. Sun*, B.C. Zh]
通讯作者： S.B. Zhang, Y.P. Sun*, B.C. Zh
共 12 条
    自插层化合物Cr1+xTe2的自旋晶格耦合与磁性机理研究
    磁性过渡金属二硫族化合物1T-CrX2(X=Se, Te)基态性质调控研究
    元素插层对过渡金属二硫族化合物1T-TaS2中电荷密度波的调控研究
    反钙钛矿结构铬基化合物的物性研究与功能属性探索
    国内基金
    海外基金