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钙钛矿结构钒基氧化物光诱导效应研究

批准号:
10974205
项目类别:
面上项目
资助金额:
39.0 万元
负责人:
孙玉平
学科分类:
凝聚态物理
结题年份:
2012
批准年份:
2009
项目状态:
已结题
项目参与者:
盛志高、唐怀保、罗轩、程玉兰、黎丽君、李长春

项目摘要

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项目成果

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中文摘要
过渡金属氧化物(Transitional Metal Oxides, TMO)中窄的3d电子能带由于其库仑相互作用势通常比带宽大得多,属典型的电子强关联体系,TMO中的电荷、自旋、轨道、晶格等自由度相互竞争和合作,导致电荷序、自旋序、轨道序等量子序现象的出现,这些能量上比较接近的不同量子有序相之间的相互竞争使得TMO在外在物理刺激下能表现出极其丰富的物理性质。目前对于TMO中量子序在外在物理刺激下的研究主要集中在eg电子体系且对量子序变化的物理机制认识还不十分清楚。本项目拟开展具有t2g电子特征的钙钛矿结构V基氧化物中量子序的组分调制和光诱导效应研究,其目的是探索TMO中光诱导效应的一般规律,实现TMO中量子有序现象的光场调控,研究由光场调控量子有序变化而引起的新的宏观量子效应,探索可能的应用,为相关宏观量子效应的未来应用提供实验和材料基础。
英文摘要
过渡族金属钒基氧化物中库仑相互作用势较其3d电子带宽大得多,属典型的电子强关联体系,其中的电荷、自旋、轨道和晶格自由度相互竞争和合作,导致该体系易出现电荷序、自旋序、轨道序等量子序。这些量子序能量上比较接近,在内外部环境改变时可能会表现出较丰富的物理性质。基于以上考虑,本项目选择钙钛矿和尖晶石两类钒基氧化物,利用组分和外加磁场替代激光对体系中的量子序进行了调控研究,目的是探索过渡族金属氧化物中量子序组分调控的一般规律,进而研究体系中可能出现的新的宏观量子效应,探索可能的应用前景。 . 我们选择(Sm,Dy,Ca)VO3和MnV2O4作为本项目的主要研究体系,分别研究了A位、V位和O位元素掺杂对该类材料物性的影响。在钙钛矿结构(Sm,Dy,Ca)VO3化合物中,不同价态离子掺杂对材料电、磁和热输运性质影响差别非常大,如少量Ca掺杂可以使体系中的自旋/轨道序几乎完全融化,虽然Ce掺杂对这些自旋/轨道序也有抑制作用,但影响相对来说小得多,适当的F掺杂可在体系中诱导出电荷有序态。对尖晶石结构MnV2O4材料来说,适当的Al和Zn掺杂均可有效地调控材料中的自旋/轨道序。上述部分研究结果已以论文的形式发表出来。到目前为止,我们已发表或接受发表相关论文7篇,相信这些结果会为今后在该领域的深入研究提供一些帮助,也为相关量子效应在未来的可能应用提供一定的实验和材料基础。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Observation of the large orbital entropy in Zn-doped orbital-spin-coupled system MnV2O4
Zn掺杂轨道自旋耦合体系MnV2O4大轨道熵的观察
DOI: 10.1063/1.3303982
发表时间: 2010-02
期刊: Applied Physics Letters
影响因子: 4
作者: [X. Luo, Y. P. Sun, W. J. Lu, X. B. Zhu, Z. R. Yang, W. H. Song]
通讯作者: W. H. Song
DOI: 10.1088/0953-8984/21/43/436010
发表时间: 2009-10
期刊: Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子: --
作者: [X. Luo;Y. Sun;L. Hu;B. Wang;W. Lu;X. B. Zhu;Z. R. Yang;W. Song]
通讯作者: X. Luo;Y. Sun;L. Hu;B. Wang;W. Lu;X. B. Zhu;Z. R. Yang;W. Song
DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.01.075
发表时间: 2013-05
期刊: Journal of Alloys and Compounds
影响因子: 6.2
作者: [Bangchuan Zhao, Yanan Huang, Jie Yang, Dongqin Dai, Jianming Dai, Yuping Sun]
通讯作者: Yuping Sun
DOI: 10.1016/j.ssc.2013.01.011
发表时间: 2013-04
期刊: Solid State Communications
影响因子: 2.1
作者: [Zhonghao Huang;Xuan Luo;Shuai Lin;Youju Huang;Liqun Hu;L. Zhang;Y. Sun]
通讯作者: Zhonghao Huang;Xuan Luo;Shuai Lin;Youju Huang;Liqun Hu;L. Zhang;Y. Sun
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