本课题研究我们在世界上首次发明的一类新型碳基薄膜材料，它的电输运特性随材料的结构而变。当采用C/(Co,Fe)/Si结构时，它有很大的室温低场正磁阻（在0.01T时磁阻可达36％，在0.05T时磁阻可达42％）。改变C层与（Co，Fe）层的相对厚度，磁阻可从正磁阻变为负磁阻，该材料的结构与机理完全不同于已知的巨磁阻、庞磁阻和其他正磁阻材料，研究这材料对人们对磁阻机理的认识提出了新的挑战，具有重要的科学意义。另外，该材料的灵敏度与自旋阀结构的巨磁阻材料相当，但价格要便宜得多，用它制作磁头、磁传感器、磁性随机存贮器等有很大的应用价值和经济价值。当采用C/Si结构时，该材料具有极大的电致电阻（室温时可达-84.5%），且有很好的开关效应和温度敏感性。该材料可用于制作开关器件、场效应器件与温度敏感器件。