课题基金 / 基金详情

具有优异低场巨磁电阻和电致电阻的碳基薄膜的研究及其应用

批准号：
90401013
项目类别：
重大研究计划
资助金额：
24.0 万元
负责人：
章晓中
依托单位：
清华大学
学科分类：
物理电子学
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
谈国太、薛庆忠、曾凡浩、刘华瑞、田鹏、张宁欣、汤富领、杨卫国、杨俊
关键词：
多层膜巨电致电阻巨磁致电阻

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
本课题研究我们在世界上首次发明的一类新型碳基薄膜材料，它的电输运特性随材料的结构而变。当采用C/(Co,Fe)/Si结构时，它有很大的室温低场正磁阻（在0.01T时磁阻可达36％，在0.05T时磁阻可达42％）。改变C层与（Co，Fe）层的相对厚度，磁阻可从正磁阻变为负磁阻，该材料的结构与机理完全不同于已知的巨磁阻、庞磁阻和其他正磁阻材料，研究这材料对人们对磁阻机理的认识提出了新的挑战，具有重要的科学意义。另外，该材料的灵敏度与自旋阀结构的巨磁阻材料相当，但价格要便宜得多，用它制作磁头、磁传感器、磁性随机存贮器等有很大的应用价值和经济价值。当采用C/Si结构时，该材料具有极大的电致电阻（室温时可达-84.5%），且有很好的开关效应和温度敏感性。该材料可用于制作开关器件、场效应器件与温度敏感器件。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
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原子分布和局部
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发表时间： --
期刊：
影响因子： --
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发表时间： --
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发表时间： --
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通讯作者： Qi Junje, Yang Wangyue, Sun Zu
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DOI： --
发表时间： --
期刊：
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作者： []
通讯作者：
共 32 条
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    • 批准号：
      11674190
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      70.0万元
    • 批准年份：
      2016
    • 负责人：
      章晓中
    • 依托单位：
      清华大学
    室温透明磁性半导体及相关器件
    • 批准号：
      51471093
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      85.0万元
    • 批准年份：
      2014
    • 负责人：
      章晓中
    • 依托单位：
      清华大学
    半导体的几何增强磁电阻研究
    • 批准号：
      11234007
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      320.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      章晓中
    • 依托单位：
      清华大学
    硅基室温巨磁电阻的研究
    • 批准号：
      11174169
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      73.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      章晓中
    • 依托单位：
      清华大学
    国内基金
    海外基金