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室温正磁阻碳基铁、钴、镍颗粒固体/颗粒膜的研制
结题报告
批准号:
50271034
项目类别:
面上项目
资助金额:
24.0 万元
负责人:
章晓中
依托单位:
学科分类:
E0107.金属功能材料
结题年份:
2005
批准年份:
2002
项目状态:
已结题
项目参与者:
邵洋、马钺、朱丹丹、薛庆忠、周惠华、王磊、张丽娜、刘军
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中文摘要
本课题研究我们在世界上首次发明的碳基正磁阻材料FexC1-x、CoxC1-x、NixC1-x,其室温磁阻高达95%。当组成材料的成分、配比、颗粒度达到最佳,其磁阻值会大大增加。这类材料比铜基、银基GMR材料便宜,我们的目标是将这类材料做成颗粒固体/颗粒膜,用于制作磁性记录材料。
英文摘要
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专利列表
存储逻辑一体化器件和相关的物理研究
  • 批准号:
    11674190
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    70.0万元
  • 批准年份:
    2016
  • 负责人:
    章晓中
  • 依托单位:
室温透明磁性半导体及相关器件
  • 批准号:
    51471093
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    85.0万元
  • 批准年份:
    2014
  • 负责人:
    章晓中
  • 依托单位:
半导体的几何增强磁电阻研究
  • 批准号:
    11234007
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    320.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    章晓中
  • 依托单位:
硅基室温巨磁电阻的研究
  • 批准号:
    11174169
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    73.0万元
  • 批准年份:
    2011
  • 负责人:
    章晓中
  • 依托单位:
过渡金属掺杂的C/Si薄膜结构中的正负磁阻及正负磁阻转换
  • 批准号:
    11074141
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    54.0万元
  • 批准年份:
    2010
  • 负责人:
    章晓中
  • 依托单位:
多功能碳基半导体纳米薄膜的制备、结构和性能表征
  • 批准号:
    U0734001
  • 项目类别:
    联合基金项目
  • 资助金额:
    150.0万元
  • 批准年份:
    2007
  • 负责人:
    章晓中
  • 依托单位:
多功能半导体碳基纳米薄膜的研究
  • 批准号:
    50772054
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    31.0万元
  • 批准年份:
    2007
  • 负责人:
    章晓中
  • 依托单位:
具有优异低场巨磁电阻和电致电阻的碳基薄膜的研究及其应用
  • 批准号:
    90401013
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2004
  • 负责人:
    章晓中
  • 依托单位:
国内基金
海外基金