室温正磁阻碳基铁、钴、镍颗粒固体/颗粒膜的研制

批准号:
50271034
项目类别:
面上项目
资助金额:
24.0 万元
负责人:
章晓中
依托单位:
学科分类:
E0107.金属功能材料
结题年份:
2005
批准年份:
2002
项目状态:
已结题
项目参与者:
邵洋、马钺、朱丹丹、薛庆忠、周惠华、王磊、张丽娜、刘军
关键词:
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
本课题研究我们在世界上首次发明的碳基正磁阻材料FexC1-x、CoxC1-x、NixC1-x,其室温磁阻高达95%。当组成材料的成分、配比、颗粒度达到最佳,其磁阻值会大大增加。这类材料比铜基、银基GMR材料便宜,我们的目标是将这类材料做成颗粒固体/颗粒膜,用于制作磁性记录材料。
英文摘要
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专利列表
存储逻辑一体化器件和相关的物理研究
- 批准号:11674190
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:70.0万元
- 批准年份:2016
- 负责人:章晓中
- 依托单位:
室温透明磁性半导体及相关器件
- 批准号:51471093
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:85.0万元
- 批准年份:2014
- 负责人:章晓中
- 依托单位:
半导体的几何增强磁电阻研究
- 批准号:11234007
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:320.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:章晓中
- 依托单位:
硅基室温巨磁电阻的研究
- 批准号:11174169
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:73.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:章晓中
- 依托单位:
过渡金属掺杂的C/Si薄膜结构中的正负磁阻及正负磁阻转换
- 批准号:11074141
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:54.0万元
- 批准年份:2010
- 负责人:章晓中
- 依托单位:
多功能碳基半导体纳米薄膜的制备、结构和性能表征
- 批准号:U0734001
- 项目类别:联合基金项目
- 资助金额:150.0万元
- 批准年份:2007
- 负责人:章晓中
- 依托单位:
多功能半导体碳基纳米薄膜的研究
- 批准号:50772054
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:31.0万元
- 批准年份:2007
- 负责人:章晓中
- 依托单位:
具有优异低场巨磁电阻和电致电阻的碳基薄膜的研究及其应用
- 批准号:90401013
- 项目类别:重大研究计划
- 资助金额:24.0万元
- 批准年份:2004
- 负责人:章晓中
- 依托单位:
国内基金
海外基金
