多功能半导体碳基纳米薄膜的研究
批准号：
50772054
项目类别：
面上项目
资助金额：
31.0 万元
负责人：
章晓中
依托单位：
学科分类：
碳素材料与超硬材料
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
杨卫国、汤富领、吴利华、张歆、廖星、张成国、栗粟、周惠华
项目摘要
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中文摘要
我们的前期研究发明的鉄磁金属掺杂的半导体碳基纳米薄膜材料不仅具有良好的p-n结整流效应、70000%的巨电致电阻效应、以及无法用已知的磁阻机制解释的高达30%的室温低场正磁阻效应，还发现了许多新颖的物理特性，且这些特性主要与材料的掺杂碳膜和Si衬底的半导体性质有关。本项目拟从研究膜与衬底的半导体特性、膜与衬底的关联性着手，通过优化薄膜中Fe-Fe、Fe-C原子间交换耦合作用，探索提高材料磁阻等功能特性以及开发其他新功能，并深入研究这类新材料的新颖的电子输运机理。还拟通过优化成分、工艺、基材、膜基适配度等参数，开发这类新材料可能具有的光电、磁光、热电、磁卡等新的功能，研制具有电、磁、光、热等多功能特性的碳基纳米薄膜材料，为发展半导体自旋电子学和碳电子学提供新材料。
英文摘要
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Photoconductivity of iron doped amorphous carbon films on n-type silicon substrates
n型硅衬底上铁掺杂非晶碳薄膜的光电导性
n型硅衬底上铁掺杂非晶碳薄膜的光电导性
DOI：
10.1063/1.3177190
发表时间：
2009-07-13
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Wan, Caihua, Zhang, Xiaozhong, Tan, Xinyu]
通讯作者：
Tan, Xinyu
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报57 (2008) 7126-7130.
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Bias Voltage Controlled Positive Magnetoresistance of Fe0.05−C0.95/Si Heterostructures
Fe0.05−C0.95/Si 异质结构的偏置电压控制正磁阻
Fe0.05−C0.95/Si 异质结构的偏置电压控制正磁阻
DOI：
10.1088/0256-307x/26/8/087301
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Wu Li, Zhang Xiao, Z. Xin, Wang Cai, Gao Xi, Tan Xin, Yuan Jun]
通讯作者：
Yuan Jun
Magnetic properties and characterization of CoCrM/TiCr/Si films produced by pulsed laser deposition
脉冲激光沉积 CoCrM/TiCr/Si 薄膜的磁性能和表征
脉冲激光沉积 CoCrM/TiCr/Si 薄膜的磁性能和表征
DOI：
10.1016/j.jmmm.2007.11.020
发表时间：
2008-04
期刊：
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
影响因子：
2.7
作者：
[]
通讯作者：
Hole distribution in La2−xSrxCu1−yZn(Ni)yO4 (x ⩽ 1/8)
La2−xSrxCu1−yZn(Ni)yO4 (x ⩽ 1/8) 中的空穴分布
La2−xSrxCu1−yZn(Ni)yO4 (x ⩽ 1/8) 中的空穴分布
DOI：
10.1016/j.commatsci.2010.09.005
发表时间：
2010
期刊：
Computational Materials Science
影响因子：
3.3
作者：
[Chengguo Zhang, Xiong Zhang]
通讯作者：
Xiong Zhang
共 19 条
存储逻辑一体化器件和相关的物理研究
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批准号：11674190
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项目类别：面上项目
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资助金额：70.0万元
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批准年份：2016
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负责人：章晓中
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依托单位：
室温透明磁性半导体及相关器件
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批准号：51471093
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项目类别：面上项目
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资助金额：85.0万元
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批准年份：2014
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负责人：章晓中
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依托单位：
半导体的几何增强磁电阻研究
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批准号：11234007
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项目类别：重点项目
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资助金额：320.0万元
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批准年份：2012
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负责人：章晓中
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依托单位：
硅基室温巨磁电阻的研究
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批准号：11174169
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项目类别：面上项目
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资助金额：73.0万元
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批准年份：2011
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负责人：章晓中
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依托单位：
过渡金属掺杂的C/Si薄膜结构中的正负磁阻及正负磁阻转换
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批准号：11074141
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项目类别：面上项目
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资助金额：54.0万元
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批准年份：2010
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负责人：章晓中
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依托单位：
多功能碳基半导体纳米薄膜的制备、结构和性能表征
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批准号：U0734001
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项目类别：联合基金项目
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资助金额：150.0万元
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批准年份：2007
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负责人：章晓中
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依托单位：
具有优异低场巨磁电阻和电致电阻的碳基薄膜的研究及其应用
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批准号：90401013
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项目类别：重大研究计划
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资助金额：24.0万元
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批准年份：2004
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负责人：章晓中
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依托单位：
室温正磁阻碳基铁、钴、镍颗粒固体/颗粒膜的研制
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批准号：50271034
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项目类别：面上项目
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资助金额：24.0万元
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批准年份：2002
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负责人：章晓中
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依托单位：
国内基金
海外基金