我们的前期研究发明的鉄磁金属掺杂的半导体碳基纳米薄膜材料不仅具有良好的p-n结整流效应、70000%的巨电致电阻效应、以及无法用已知的磁阻机制解释的高达30%的室温低场正磁阻效应，还发现了许多新颖的物理特性，且这些特性主要与材料的掺杂碳膜和Si衬底的半导体性质有关。本项目拟从研究膜与衬底的半导体特性、膜与衬底的关联性着手，通过优化薄膜中Fe-Fe、Fe-C原子间交换耦合作用，探索提高材料磁阻等功能特性以及开发其他新功能，并深入研究这类新材料的新颖的电子输运机理。还拟通过优化成分、工艺、基材、膜基适配度等参数，开发这类新材料可能具有的光电、磁光、热电、磁卡等新的功能，研制具有电、磁、光、热等多功能特性的碳基纳米薄膜材料，为发展半导体自旋电子学和碳电子学提供新材料。