课题基金基金详情
瞬态极端应力下高功率SiC MOSFET时空演化损伤机理与加固技术
批准号:
62334004
项目类别:
重点项目
资助金额:
219 万元
负责人:
邓小川
依托单位:
学科分类:
F.信息科学部
结题年份:
--
批准年份:
2023
项目状态:
未结题
项目参与者:
邓小川
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
SiC IGBT三维多沟道电荷调制增强新结构与模型研究
  • 批准号:
    61974016
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    59.0万元
  • 批准年份:
    2019
  • 负责人:
    邓小川
  • 依托单位:
高温SiC DMOS器件电热物理场耦合模型与加固新结构研究
  • 批准号:
    61674026
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    60.0万元
  • 批准年份:
    2016
  • 负责人:
    邓小川
  • 依托单位:
高功率密度SiC MESFETs器件与三维电热解析模型研究
  • 批准号:
    61076072
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    35.0万元
  • 批准年份:
    2010
  • 负责人:
    邓小川
  • 依托单位:
国内基金
海外基金