课题基金 / 基金详情

瞬态极端应力下高功率SiC MOSFET时空演化损伤机理与加固技术

批准号：
62334004
项目类别：
重点项目
资助金额：
219 万元
负责人：
邓小川
依托单位：
电子科技大学
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
邓小川
关键词：
瞬态极端应力时空演化损伤SiCMOSFET高功率

邓小川的其他基金

相似基金

相关文献

SiC IGBT三维多沟道电荷调制增强新结构与模型研究
  • 批准号：
    61974016
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    59.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    邓小川
  • 依托单位：
    电子科技大学
高温SiC DMOS器件电热物理场耦合模型与加固新结构研究
  • 批准号：
    61674026
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    60.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    邓小川
  • 依托单位：
    电子科技大学
高功率密度SiC MESFETs器件与三维电热解析模型研究
  • 批准号：
    61076072
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    35.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    邓小川
  • 依托单位：
    电子科技大学
国内基金
海外基金