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SOI/GeSi/BiCMOS集成电路的研究
结题报告
批准号：
69836020
项目类别：
重点项目
资助金额：
115.0 万元
负责人：
钱佩信
依托单位：
清华大学
学科分类：
F0406.集成电路器件、制造与封装
结题年份：
2002
批准年份：
1998
项目状态：
已结题
项目参与者：
陈培毅、罗广礼、郭维廉、李树荣、郑云光、贾宏勇、毛陆虹、林小峰、朱培喻
关键词：
SOI技术.GeSi-HBT.BiCMOS
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中文摘要
SOI/GeSi/BiCMOS电路集三种先进IC技术于一体，结构新颖，较全面地反映了当前VLSI发展魇啤１鞠钅吭谇寤吞旖虼笱г碐eSi薄膜生长eSiHBT、SOIGeSiFET、低温BiCMOS研究∩希捎米?向GeSi-HBT与SOI-CMOS相结合或GeSiPMOS与GeSi混合模式双极管相结合的峁剐问剑杓撇⒀兄瞥龈咝阅艿腟OI/GeSi/CMOS电路。
英文摘要
专著列表
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会议论文列表
专利列表
瞬时热处理硅中微缺陷的研究
  • 批准号：
    68676006
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    4.0万元
  • 批准年份：
    1986
  • 负责人：
    钱佩信
  • 依托单位：
    清华大学
国内基金
海外基金