光电导开关非线性模式的规律及稳定性研究
批准号:
10876025
项目类别:
联合基金项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
徐鸣
依托单位:
学科分类:
NSFC-中物院联合基金
结题年份:
2009
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
贾婉丽、纪卫莉、田立强
中文摘要
本项申请是针对2006年12月结题的NSAF联合基金"非线性光电导开关设计技术研究(批准号: 10376025)"于2007年被授予NSAF联合基金特优奖的延续课题。.研究非线性GaAs光电导开关在强电场触发下形成Lock on 效应的稳定性问题。从光子诱发电荷畴的瞬态电场约束条件和级联过程出发,揭示因光致碰撞电离引起的、以光激发电荷畴为表现形式的载流子雪崩倍增行为的物理规律,探讨非线性GaAs光电导开关内丝状电流的形成原因和控制方法,研究强电场偏置下非线性GaAs光电导开关稳定工作的物理条件,通过改进GaAs芯片性能来改善触发导通瞬态过程中芯片内的电场分布,抑制丝状电流的形成,得出利用光激发电荷畴来控制并调节非线性GaAs光电导开关产生具有载流子雪崩倍增机制的电脉冲的稳定性条件。
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Current limiting effects of photoactivated charge domain in semi-insulating GaAs photoconductive switch
半绝缘GaAs光电导开关中光激活电荷域的限流效应
DOI:
10.1063/1.3086886
发表时间:
2009-02
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[]
通讯作者:
High Current Operation of Semi-insulating Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switch Triggering Spark Gap
半绝缘砷化镓光电导半导体开关触发火花隙的高电流工作
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
中国物理快报:英文版
影响因子:
--
作者:
[徐鸣]
通讯作者:
徐鸣
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
高电压技术
影响因子:
--
作者:
[刘红]
通讯作者:
刘红
A Novel Application of GaAs Photoconductive Semiconductor Switch in Triggering Spark Gap
GaAs光电导半导体开关在火花隙触发中的新应用
DOI:
10.1109/tps.2009.2012513
发表时间:
2009-04
期刊:
IEEE Transactions on Plasma Science
影响因子:
1.5
作者:
[]
通讯作者:
Terahertz generation from SI-GaAs stripline antenna with different structural parameters
不同结构参数的 SI-GaAs 带状线天线产生太赫兹
DOI:
10.1364/josab.26.00a107
发表时间:
2009-09-01
期刊:
JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS
影响因子:
1.9
作者:
[Shi, Wei, Hou, Lei, Tongue, Thomas]
通讯作者:
Tongue, Thomas
重复频率弱光触发下非线性光电导开关的时间抖动特性及其调控研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:54万元
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批准年份:2022
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负责人:徐鸣
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依托单位:
kHz弱光触发下非线性光电导开关的高倍增效应调控和击穿机理研究
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批准号:51877177
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项目类别:面上项目
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资助金额:62.0万元
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批准年份:2018
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负责人:徐鸣
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依托单位:
光猝灭/电场调控下非线性光电导开关的工作机理和稳定性研究
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批准号:51477140
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项目类别:面上项目
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资助金额:86.0万元
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批准年份:2014
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负责人:徐鸣
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依托单位:
光子作用下砷化镓光电导开关沿面闪络机理及其抑制方法研究
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批准号:51107099
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:27.0万元
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批准年份:2011
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负责人:徐鸣
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依托单位:
国内基金
海外基金